特性:超快速开关和高效率。 节省空间且高度可靠的封装。 无反向恢复电荷。 超低栅极电荷和输出电荷。 顶部散热出色的裸片外露设计。 防潮等级MSL1。应用:电池供电工具。 AC-DC和DC-DC转换器的同步整流
Infineon(英飞凌)PG-TSON-6
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCSMD-6P,2.1x0.9mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Innoscience(英诺赛科)LGA-8(5x6)
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Infineon(英飞凌)PG-HSOF-8
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TI(德州仪器)VQFN-52(12x12)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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700V GaN-on-Silicon增强模式功率晶体管,采用TO-252封装。
Innoscience(英诺赛科)TO-252
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)LSON-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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双向硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用尺寸为 6 mm x 4 mm 的 FCQFN 封装。
Innoscience(英诺赛科)FCQFN-27(4x6)
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Infineon(英飞凌)TSON-8
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Infineon(英飞凌)DSO-20
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Infineon(英飞凌)PG-LSON-8
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GAN140 - 650FBE是一款通用型650 V、140 mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用5 mm x 6 mm DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件,性能卓越。
Nexperia(安世)DFN5060-5
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Infineon(英飞凌)PG-HSOF-8
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Infineon(英飞凌)HDSOP-16
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Nexperia(安世)QFN-25(6x4)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Nexperia(安世)VQFN-27(4x6)
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Infineon(英飞凌)SMD
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TI(德州仪器)VQFN-19
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Infineon(英飞凌)SMD
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Nexperia(安世)CCPAK1212
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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