LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET
TI(德州仪器)VQFN-54(12x12)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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TI(德州仪器)VQFN-38(5.3x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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TI(德州仪器)VQFN-38(5.3x8)
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO-220
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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DK(东科半导体)TO-220
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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RENESAS(瑞萨)/IDTPQFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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RENESAS(瑞萨)/IDTPQFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCSMD
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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FET是混合常关型氮化镓 (GaN) 场效应晶体管,拥有市场上所有宽带隙器件中最强的栅极和最低的反向电压降。它们允许简单的栅极驱动,提供同类最佳的性能和出色的可靠性。
ChipNobo(无边界)DFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(5x6)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
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DK(东科半导体)PDFN-8(8x8)
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DK(东科半导体)TO-220
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RENESAS(瑞萨)/IDTPQFN-3(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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RENESAS(瑞萨)/IDTPQFN-3(8x8)
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特性:650V E-mode GaN FET。 150mΩ Resistance。 2.7nC Gate Charge。应用:High switching frequency converter。 High density converter
ROHM(罗姆)DFN8080AK
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RENESAS(瑞萨)/IDTPQFN-8(8x8)
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