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增强型氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNPX封装可在小尺寸封装中实现低电感和低热阻。是一款底部冷却晶体管,可为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性相结合,可实现高效功率开关。

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增强模式氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNPx封装可在小尺寸封装中实现低电感和低热阻。顶部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性结合在一起,可提供高效的功率开关。

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氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的QG和零QRR。最终结果是,该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导地位的任务。

基于硅的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用焊盘晶圆级芯片封装 (WLCSP),封装尺寸为 3.5 mm x 2.13 mm。

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650V氮化镓 (GaN) FET是一款常关器件,采用了Renesas的第四代平台。它将先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合,以提供卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术,简化了可制造性,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷,提高了相对于硅的效率。

特性:超高效率。 超低RDS(on)。 超低QG。 超小尺寸。应用:高速DC-DC转换。 无线电力传输

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氮化镓极高的电子迁移率和低温系数可实现极低的导通电阻,而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷和零反向恢复电荷。最终结果是,该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。

氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的导通电阻,而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷和零反向恢复电荷。最终结果是,该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间的任务,以及导通损耗占主导的任务。

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