500mW功率 12V ±5%
TDSEMIC(拓电半导体)SOD-123
二极管 / 晶体管稳压二极管
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Clestek · 电子元器件型号库
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500mW功率 12V ±5%
200mW功率 4.2V ±5%
特性:总功率耗散:最大200mW。宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。非常适合自动化组装过程
二极管配置:独立式 稳压值(标称值):3.3V 稳压值(范围):3.1V~3.5V 功率:500mW
特性:齐纳击穿阻抗低。最大功率耗散 500mW。高稳定性和可靠性
9.1V 0.5W
硅平面齐纳二极管
小信号稳压管
500mW功率 5.6V ±5%
公开页面暂无产品说明。
zener,3.4-3.8V,Izt=5mA,SOD-323
15V 0.5W
公开页面暂无产品说明。
6.2V 0.2W
特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源或过压保护电路中的保护二极管
用于稳压和过压保护,电源储能、工控电路、通讯设备、智能控制
丝印WE
特性:齐纳电压范围:2.0至75伏。 LL-34(Mini-MELF)封装。 表面贴装器件类型。 密封玻璃。 压缩键合结构。 所有外表面耐腐蚀,引脚易于焊接。 符合RoHS标准。 哑光镀锡(Sn)引脚表面处理。 蓝色色带表示负极性
丝印WR
特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020,LF最大峰值为260°C。应用:稳压电源中的参考电压源。 过压保护电路中的保护二极管
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。