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特性:双齐纳二极管采用共阳极配置。 功率耗散额定值:300mW。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的Vz偏差为5%。 有共阴极款式,参见DZ系列。 有无铅版本

特性:低齐纳阻抗。 功率耗散:1000mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值温度为260°C。应用:稳压电源中的参考电压源。 过压保护电路中的保护二极管

特性:平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为±10%,添加后缀“A”可实现±5%的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装,旨在以最小的空间需求提供电压调节,非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装,内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 典型值:高于11V时小于5.0μA。 保证高温焊接:端子在260°C下保持10秒。 塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装,内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 典型值:高于11V时小于5.0μA。 保证高温焊接:端子在260°C下保持10秒。 塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级

特性:总功耗:最大 1.5 W。宽齐纳反向电压范围 3.6V 至 200V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

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30V 300mW

特性:批量处理设计,出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。 齐纳反向电压范围宽,为3.3V至200V。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

特性:完整电压范围 3.3 至 200 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

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特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

通用齐纳二极管,采用SOD523 (SC-79)超小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

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中功率电压调节二极管,采用SOT89塑料贴片封装。二极管在归一化E24近似±5%公差范围内提供。该系列由37种类型组成,标称工作电压为2.4至75 V。