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二极管 / 晶体管型号

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BORN(伯恩半导体)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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BORN(伯恩半导体)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装

onsemi(安森美)SMA
二极管 / 晶体管稳压二极管
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采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V

Nexperia(安世)SOD-80C
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准

MSKSEMI(美森科)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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Nexperia(安世)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整的电压范围:3.3至200V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流。 无铅/符合RoHS标准

LGE(鲁光)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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SMBJ5338B LGE 338B

LGE(鲁光)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装

onsemi(安森美)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级94 V-0。 适用于表面贴装应用。 低齐纳阻抗。 低调节系数。 保证高温焊接:端子处260°C/10 s。 标准电压公差为±10%,后缀A为±5%。 通过AEC-Q101认证

VISHAY(威世)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:齐纳击穿阻抗低。 最大功率耗散 200mW。 高稳定性和可靠性

LJ(朗捷)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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采用MiniMELF外壳,特别适用于自动插入。齐纳电压按照国际E24标准分级。可根据要求提供更小的电压容差和更高的齐纳电压。

YONGYUTAI(永裕泰)MiniMELF(LL-34)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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这款LL-34封装的稳压二极管,具备精准9.1V稳定电压(VZ),并拥有超低反向漏电流IR仅0.1uA,在5mA IZT条件下展现卓越性能。最大耗散功率达0.5W,确保在各类电路应用中实现高效、稳定的电压调节。特别适合高精度电源管理和系统保护需求,是小型化电子设备的理想之选。

HXY MOSFET(华轩阳电子)LL-34
二极管 / 晶体管稳压二极管
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采用MiniMELF外壳,特别适用于自动插入。齐纳电压按照国际E24标准分级。可根据要求提供更小的电压容差和更高的齐纳电压。

YONGYUTAI(永裕泰)LL-34
二极管 / 晶体管稳压二极管
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适用于各类精密稳压和电路保护场景,以强大性能满足您的设计与应用需求。

JSMSEMI(杰盛微)LL-34
二极管 / 晶体管稳压二极管
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适用于各类高精度稳压及电路保护应用场景,以卓越性能,满足您的电路设计需求。

JSMSEMI(杰盛微)LL-34
二极管 / 晶体管稳压二极管
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200mW功率 11V ±5%

TDSEMIC(拓电半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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二极管配置:独立式 稳压值(标称值):8.2V 稳压值(范围):7.7V~8.7V 功率:200mW

TWGMC(迪嘉)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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500mW功率 22V ±5%

TDSEMIC(拓电半导体)SOD-123
二极管 / 晶体管稳压二极管
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