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二极管 / 晶体管型号

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70V 70mA双二极管

CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
二极管 / 晶体管开关二极管
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特性:环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。 湿度敏感度等级1。 低电流泄漏。 后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准。应用:通用开关应用

YANGJIE(扬杰)SOT-23(TO-236)
二极管 / 晶体管开关二极管
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公开页面暂无产品说明。

CBI(创基)SOD-523
二极管 / 晶体管开关二极管
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该肖特基二极管采用1对共阳极配置,具有0.2A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。其正向压降(VF)为1V,在25°C下反向漏电流(IR)典型值为5μA,能够承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM)。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的紧凑型电路设计,常见于电源管理、信号解调及高频开关等应用场景。

HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-23
二极管 / 晶体管开关二极管
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特性:快速开关速度。 适用于通用开关应用。 高电导

CJ(江苏长电/长晶)SOT-323
二极管 / 晶体管开关二极管
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电流:150mA 电压:75V

CBI(创基)SOT-363
二极管 / 晶体管开关二极管
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由两个共阴极的高速开关二极管组成,采用平面技术制造,并封装在小型 SOT23 SMD 塑料封装中。

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管开关二极管
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该肖特基二极管采用串联式配置,具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。其正向压降(VF)为1.25V,在反向偏置条件下漏电流(IR)低至2.5μA,表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景,常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-23
二极管 / 晶体管开关二极管
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特性:低泄漏电流。 专利超势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 +150°C工作结温。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑,绿色器件。应用:开关电源(SMPS)。 交流-直流(AC-DC)

DIODES(美台)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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SBR1U200P1 是采用 PowerDI123 封装的单整流器,具有出色的高温稳定性和低正向电压。

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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40V,1A,VF=0. 51V@1A,SOD-123F扁平封装,热阻优,符合ROHS

DIODES(美台)SOD-123F
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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采用紧凑且散热高效的PowerDI5封装,在高温下可实现低正向压降(VF)和低反向漏电流。

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:设计用作太阳能电池板的旁路二极管。 最高结温选择性额定为 +250°C,具有高耐热可靠性。 拥有专利的超级势垒整流器技术 (SBR)。 高正向浪涌能力。 超低正向压降。 出色的高温稳定性。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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是一款5A 50V的单整流器,采用低外形SMA封装。提供低正向电压和出色的高温稳定性,适用于一般整流应用。

DIODES(美台)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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是一款采用PowerDI123封装的单整流器,具有出色的高温稳定性和低正向电压。

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:超低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 工作结温 +150°C。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

DIODES(美台)PowerDI5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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采用紧凑的高效散热 POWERDI5 封装,提供超低正向压降 (VF),并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:超低正向压降。 低漏电流。 卓越的反向雪崩能力。 出色的高温稳定性。 专利联锁夹设计,具有高浪涌电流能力。 专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 软、快速开关能力。 工作结温 +150°C。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:专利超级势垒整流器 (SBR) 技术。 超低正向电压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利互锁夹设计,具有高浪涌电流能力。 软、快速开关能力。 +150°C工作结温。 ±16kV ESD保护 (HBM, 3B)。 ±25kV ESD保护 (IEC61000-4-2 4级, 空气放电)。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:超低正向压降。 出色的高温性能。 专利超势垒整流器技术(SBR)。 软快速开关能力。 工作结温可达 +150°C。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:极性保护二极管。 续流二极管

DIODES(美台)SMA
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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