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二极管 / 晶体管型号

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特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 快速开关能力。 后缀“G”表示无卤部件。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

晶扬电子SMA
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:塑料封装,符合 UL 可燃性分类 94V-0。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:260°C/10 秒。 符合 RoHS 指令 2011/65/EU。 无卤

FUXINSEMI(富芯森美)SOD-123FL
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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这种超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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采用紧凑高效散热的 POWERDI5 封装,提供超低正向压降 (VF),并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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有四个二极管以全桥配置封装在薄型DFN封装中。提供低正向压降和出色的高温稳定性,适用于需要小尺寸和薄型的桥式二极管应用。

DIODES(美台)DFN-4(3x3)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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双二极管

DIODES(美台)TO-252-2(DPAK)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:低漏电流。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 +150°C工作结温。 无铅表面处理:符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:SMPS。 DC-DC转换器

DIODES(美台)SMA
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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是双中心抽头整流器,采用TO252 (DPAK)封装。具有出色的高温稳定性和卓越的雪崩能力,专门用于汽车应用。

DIODES(美台)TO-252(DPAK)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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SBR05M60BLP采用低外形U-DFN3030-4封装,内部集成四个二极管,构成全桥配置。该器件具有低正向压降和出色的高温稳定性,非常适合用于对占用空间和外形高度有要求的桥式二极管应用。

DIODES(美台)DFN-4(3x3)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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SBR3A40SAF 是一款采用薄型 SMAF 封装的单整流器。该器件具备低正向压降(VF)和出色的高温稳定性,非常适合用于一般整流应用,如:升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。表面贴装超势垒整流器

DIODES(美台)DO-214AD
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:低正向压降。 低漏电流。 卓越的反向雪崩能力。 出色的高温稳定性。 专利联锁夹设计,具备高浪涌电流能力。 专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 软、快速开关能力。 工作结温 +150°C。 +16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 +25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该部件符合 JEDEC 标准(如 AEC-Q 中引用),具有高可靠性

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:低正向压降。 低漏电流。 卓越的反向雪崩能力。 出色的高温稳定性。 专利联锁夹设计,具备高浪涌电流能力。 专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 软、快速开关能力。 工作结温 +150°C。 +16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 +25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该部件符合 JEDEC 标准(如 AEC-Q 中引用),具有高可靠性

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:适合自动贴装。 卓越的反向雪崩能力。 工作结温:+175°C。 低功耗、高效率、高可靠性。 保证高温焊接:260°C/10秒。 符合RoHS 2011/65/EU和WEEE 2002/96/EC标准

Leiditech(雷卯电子)SOD-123FL
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:适用于自动贴装。 卓越的反向雪崩能力。 工作结温可达 +175°C。 低功耗、高效率、高可靠性。 保证高温焊接:260°C / 10 秒。 符合 RoHS 2011/65/EU 和 WEEE 2002/96/EC 标准

Leiditech(雷卯电子)SOD-123FL
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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这款超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、旁路二极管。

DIODES(美台)DFN-2(1.1x1.4)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:超低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利联锁夹设计,具备高浪涌电流能力。 专利超级势垒整流器 (SBR) 技术。 软、快速开关能力。 工作结温 +150°C。 ±16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 ±25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 本产品符合 JEDEC 标准(如 AEC-Q 中引用),具有高可靠性

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:降低超低正向压降(VF),提高效率,运行更凉爽。 降低高温反向泄漏,提高高温运行时对热失控故障的可靠性。 采用专利沟槽超级势垒整流器(SBR)技术,封装高度小于1.4mm,适用于薄型应用。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,为“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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这款超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它适用于极性保护二极管、再循环二极管、开关二极管、阻塞二极管、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器。该器件适用于保护敏感的汽车电路免受 ISO7637-2 中定义的浪涌影响。极性(24V 系统的 ISO7637-2):脉冲 1:US =-600V;脉冲 2a:US = +112V;脉冲 3a:US =-300V;脉冲 3b:US = +300V。

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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提供非常低的正向压降(VF),并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。可作为整流器、续流二极管或阻塞二极管使用。

DIODES(美台)TO-220AB-3
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:超低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利联锁夹设计,具有高浪涌电流容量。 专利超级势垒整流器 (SBR) 技术。 软、快速开关能力。 工作结温可达 +150°C。应用:DC-DC 转换器。 AC-DC 整流器

DIODES(美台)PowerDI-123
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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