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特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑。应用:开关电源。 DC-DC转换器

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特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 也有绿色模塑料版本。 无卤素和锑,“绿色”器件

特性:低导通电阻:95mΩ @VGS =-4.5V;120mΩ @VGS =-2.5V;86mΩ (典型值) @VGS =-1.8V。 低栅极阈值电压,最大-1.3V。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 集成低 Vr 超级势垒整流器 (SBR)。 低外形,最大高度 0.5mm。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

提供低VF和出色的高温稳定性,适用于一般整流应用,如升压二极管、阻断二极管。

是一款采用低剖面SMAF封装的3A、45V单整流器。该器件在高温下具有出色的低正向电压和低反向泄漏稳定性,非常适合用于一般整流应用。

封装在紧凑的X2-DFN1006-2中,提供超低正向压降(VF),在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。适用于整流、续流或极性保护。

特性:低正向电压。 超低反向泄漏。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

特性:专利超级势垒整流器(SBR)技术。 超低泄漏电流。 出色的高温稳定性。 卓越的反向雪崩能力。 专利联锁夹设计,具有高浪涌电流能力。 软、快速开关能力。 工作结温 +175°C。 ±16kV ESD 保护(HBM,3B)。 ±25kV ESD 保护(IEC61000-4-2 4级,空气放电)。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性

提供非常低的正向压降 VF 和在高温下出色的反向泄漏稳定性。

SBR10E45P5采用紧凑且散热高效的PowerD|5封装,可提供超低正向压降(Vx),并在高温下具备出色的低反向漏电流稳定性。它非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

采用紧凑的高效散热 POWERDI5 封装,提供超低正向压降 (VF),并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。适用于整流、续流或极性保护二极管应用。

特性:玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间,实现高效率。浪涌过载额定值达 100A 峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理;符合 RoHS 标准。无卤素和锑,环保器件

特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 也有绿色模塑料版本。 无卤素和锑,“绿色”器件

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特性:低正向压降。 出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 软、快速开关能力。 TO220AB 和 ITO220AB。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 提供“绿色”封装:ITO220AB。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。“绿色”器件

提供非常低的正向压降 VF 和在高温下出色的反向泄漏稳定性。

采用紧凑且散热高效的 POWERDI5 封装,提供低正向压降 (VF),并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

60 V、20 A双路场效应整流二极管(FERD)