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N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中,“XTSA1”那是原厂的内部型号。

P沟道,-60V,-1.6A,345mΩ@-10V

P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V

特性:VDS = 20V。 I0 = 3A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 45mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 58mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

特性:VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。 沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

特性:VDS = -20V。 IO = -5.0A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 43mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V

特性:VDSS = 60 V。 ID = 3.0 A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 125 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关

N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V

特性:VDS = -60V。 ID = -1.25A。 RDS(on)@VGS = -10V < 340mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 550mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

N沟道,30V,30A

特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150°C工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

公开页面暂无产品说明。

特性:VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 35mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 40mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关

N沟道,30V,4A,55mΩ@4.5V

P沟道,-30V,-4.3A,48mΩ@-10V

WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100%保证具有抗雪崩能力。

特性:VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电池保护。 负载开关