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特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装

特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件

此款稳压二极管,采用SMB封装和采用高质量的材料和制造工艺,具有较低的漏电流和较高的稳定性,能够长时间稳定工作,适用于各种需要稳定电压的电子电路如:电源、传感器通信设备、计算机主板、汽车电子等领域

特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准

特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序文件。 无铅器件

特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准

特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压为5.1V至200V。 高浪涌电流能力。 可提供卷带包装(参见E1A标准RS-481)。 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合标准,参见订购信息)。

此款稳压二极管,采用SMB封装和采用高质量的材料和制造工艺,具有较低的漏电流和较高的稳定性,能够长时间稳定工作,适用于各种需要稳定电压的电子电路如:电源、传感器通信设备、计算机主板、汽车电子等领域

特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准

特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

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特性:低外形表面贴装封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅镀层/符合 RoHS 标准(注 1)(后缀“P”表示符合标准,参见订购信息)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。

特性:完整的电压范围:3.3至200V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流。 无铅/符合RoHS标准

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管,其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装,可在所有常见环境条件下提供保护。

特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件

特性:完整的电压范围:3.3至200V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流。 无铅/符合RoHS标准

塑封稳压管

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