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14.7-15.3V 500mW

特性:玻璃钝化芯片。 内置应力消除。 低电感。 高峰值反向功耗。 低反向泄漏。 适用于高功率额定值的稳压和限幅。 符合RoHS标准

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IZT(mA)2.5

特性:平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高

PD/W:3、VZ (V):8.2、3W稳压管、SMA、最小包装量:5000PCS

低功耗稳压二极管,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管的公差范围为标准化E24的±1%、±2%和大约±5%。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压范围为2.4V至75V。

特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

20V 1W

特性:功率耗散(Pd):3.0W。 齐纳电压(Vz):3.3V-200V。 玻璃钝化芯片。 标记条指示阴极。应用:稳定电压

16V,500mW

稳压值精度5%,低漏电流,适用于稳压和过压监测电路。

特性:高可靠性。 小功率模具类型。应用:电压调节

特性:功率耗散(Pd):3.0W。 齐纳电压(Vz):3.3V-200V。 玻璃钝化芯片。 标记条指示阴极。应用:稳定电压

该系列齐纳二极管采用SOD-523表面贴装封装,旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。

特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V

特性:完整电压范围 3.3 至 200 V。 高反向峰值功率耗散。 平坦的操作表面,便于精确放置。 低泄漏电流。 无铅/符合 RoHS 标准

特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装