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特性:低饱和电压。 出色的hFE特性,与2SA1797互补

此高压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

特性:低电压和低电流。 与PZT3906互补。 适用于通用放大器和开关应用

是一款NPN硅外延晶体管,专为甚高频(VHF)、超高频(UHF)和有线电视(CATV)频段的低噪声放大器而设计。具有动态范围和良好的电流特性。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AFC-C101标准且具备PRAP能力。

采用SOT23(TO - 236AB)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号:PBSS4140T

NPN 50V 3A

特性:用于AF驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BCX51...BCX53(PNP)

特性:低饱和电压。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260°C

特性:低饱和电压。 高速开关

特性:低饱和电压:VCEsat = 0.5V(最大值)(IC = 1A)。 高速开关时间:tsg = 1μs(典型值)。 与2SA1020互补

特性:理想适用于自动插入。 外延平面芯片结构。 有互补NPN类型(BC817)。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号:PBSS5350T

特性:适用于高压驱动应用

特性:低噪声和高增益。NF = 1.1 dB(典型值),Ga = 11 dB(典型值),@VCE = 10 V,Ic = 7 mA,f = 1.0 GHz。 高功率增益。MAG = 13 dB(典型值),@VCE = 10 V,Ic = 20 mA,f = 1.0 GHz

特性:功率耗散:1.5W。 低集电极-发射极饱和电压

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

NPN 高压晶体管,采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号:BF021-Q

特性:低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V 最大,IC = -1A。 高速开关时间:tSTG = 1.0 μs(典型值)。 小型扁平封装,PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SC2873互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用

采用小型SOT23塑料封装的PNP通用晶体管。NPN互补型号:PMBTA06。

NPN/NPN通用晶体管对,采用非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP/PNP互补型号为BC857BS-Q。