P沟道 -30V -90A ，4.8mΩ导通电阻
HUAYI(华羿微)TO-252-2
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道
UMW(友台半导体)TO-252
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道，60V/20A，37毫欧。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道 -40V -40A
AOSTO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
AOSTO-252
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道，-60V，-50A，23毫欧。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道,55V ,11A,175mΩ
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)TO-252
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NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
VISHAY(威世)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
JSMSEMI(杰盛微)TO-247
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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D90N25-MNS 硅 N 沟道增强型 MOSFET 采用先进的 MOSFET 技术制成，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源 (SMPS)、高速开关和通用应用。
minos(迈诺斯)TO-247
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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