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P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V

N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

N沟道

特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理

N沟道,220V,18A,150mΩ@10V

P沟道增强型MOSFET。

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用：开关稳压器

CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准

超高压MOSFET

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0 S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

该款N沟道消费级MOSFET采用TO-3P封装，专为500V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达28A，适用于电源转换、电机驱动和工业设备的功率控制，具有卓越的低导通电阻与高效散热特性，是现代电子系统中实现高性能能源管理的理想选择。

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为200mΩ。该器件适用于需要高效开关性能的高功率场景，其低导通电阻有助于降低工作损耗，提高系统效率。凭借较高的电流和电压耐受能力，该MOSFET可广泛用于电源转换、电机控制及高频率电路设计等领域，为电路提供稳定可靠的导通与截止控制。

这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中

CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P（N），符合RoHS标准

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。