N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
场效应管(MOSFET)TO-220
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先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选
Infineon(英飞凌)TO-220AB
场效应管(MOSFET)TO-220
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N沟道,200V,18A,150mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
场效应管(MOSFET)TO-220
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P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
场效应管(MOSFET)TO-220
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P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)TO-220
场效应管(MOSFET)TO-220
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N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
场效应管(MOSFET)TO-220
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IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-220
场效应管(MOSFET)TO-220
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特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 4.5mΩ(VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅，符合RoHS标准，无卤
UMW(友台半导体)TO-220
场效应管(MOSFET)TO-220
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N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220
场效应管(MOSFET)TO-220
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特性：结合了快速开关速度和坚固的器件设计。 VDS(V) = 55V。 ID = 25A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 22mΩ(VGS = 10V)
UMW(友台半导体)TO-220
场效应管(MOSFET)TO-220
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