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特性:工作条件:3.0V至3.6V,-40℃至+85℃,DC至70 MIPS;3.0V至3.6V,-40℃至+125℃,DC至60 MIPS;3.0V至3.6V,-40℃至+150℃,DC至40 MIPS。核心:代码高效(C和汇编)架构;两个40位宽累加器;单周期(MAC/MPY)与双数据提取;单周期、混合符号乘法加硬件除法;32位乘法支持。时钟管理:1.0%内部振荡器;可编程PLL和振荡器时钟源;故障安全时钟监视器(FSCM);独立看门狗定时器(WDT);快速唤醒和启动。
MICROCHIP(美国微芯)QFN-44-EP(8x8)
微控制器 / 逻辑器件数字信号处理器(DSP / DSC)
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混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案,因为它们具有成本效益,并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压(HV)模拟功能集成到标准汽车MCU中,S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本,从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合,提供更简单、更小的解决方案
NXP(恩智浦)SOT-313-3
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NXP(恩智浦)SOT-96-4
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特性:代码高效(C和汇编)架构。 两个40位宽累加器。 单周期(MAC/MPY),双数据提取。 单周期、混合符号乘法和硬件除法。 32位乘法支持。 1.0%内部振荡器。应用:DC/DC、AC/DC、逆变器、PFC、照明。 BLDC、PMSM、ACIM、SRM
MICROCHIP(美国微芯)TQFP-44(10x10)
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-28-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-28-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-28-EP(6x6)
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-28-300mil
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特性:工作条件:3.0V 至 3.6V,-40℃ 至 +85℃,DC 至 70 MIPS;3.0V 至 3.6V,-40℃ 至 +125℃,DC 至 60 MIPS。闪存架构:双分区闪存程序存储器,支持实时更新,支持编程同时操作,支持分区软交换。核心:16 位 dsPIC33E CPU,代码高效(C 和汇编)架构,两个 40 位宽累加器,单周期(MAC/MPY)双数据提取,单周期混合信号乘法加硬件除法,32 位乘法支持,四个额外工作寄存器组(减少上下文切换)。时钟管理:±0.9% 内部振荡器,可编程 PLL 和振荡器时钟源,故障安全时钟监视器(FSCM),独立看门狗定时器(WDT),快速唤醒和启动。电源管理:低功耗管理模式(睡眠、空闲、打盹),集成上电复位和欠压复位,0.5 mA/MHz 动态电流(典型值),20 μA IPD 电流(典型值)。高速 PWM:八个 PWM 发生器(每个发生器两个输出),每个 PWM 有独立时基和占空比,1.04 ns PWM 分辨率(频率、占空比、死区时间和相位),支持中心对齐、冗余、互补和真正独立输出模式,独立故障和电流限制输入,输出覆盖控制,支持 AC/DC、DC/DC、逆变器、PFC 和照明。高级模拟特性:高速 ADC 模块:12 位,四个专用 SAR ADC 内核和一个共享 SAR ADC 内核,每个 ADC 内核可配置分辨率(最高 12 位),12 位分辨率下每通道最高 3.25 Msps 转换速率,11 至 22 个单端输入,每个模拟通道有专用结果缓冲区,灵活独立的 ADC 触发源,两个数字比较器,两个过采样滤波器以提高分辨率。四个带滞回的轨到轨比较器:每个模拟比较器有专用 12 位数模转换器(DAC),最多两个 DAC 参考输出,最多两个外部参考输入
MICROCHIP(美国微芯)TQFP-64(10x10)
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MICROCHIP(美国微芯)SSOP-28-208mil
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-28-EP(6x6)
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MICROCHIP(美国微芯)TQFP-64(10x10)
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MICROCHIP(美国微芯)TQFP-48(7x7)
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-28-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-28-EP(6x6)
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MICROCHIP(美国微芯)UQFN-36-EP(5x5)
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NXP(恩智浦)LQFP-64(10x10)
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MICROCHIP(美国微芯)TQFP-44(10x10)
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MICROCHIP(美国微芯)TQFP-44(10x10)
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MICROCHIP(美国微芯)TQFP-64(10x10)
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