特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
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TMS320F280039C 具有 CLA、CLB、AES 和 CAN-FD 的 C2000™ MCU 120MHz 384KB 闪存、FPU 和 TMU
特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 存储器:64 至 256 Kbytes 的闪存,64 Kbytes 的通用 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),3 至 25 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC 带校准,32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。
飞思卡尔8位MCU
特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS / 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte的闪存。高达(192 + 4)Kbytes的SRAM,包括64 Kbyte的CCM(核心耦合内存)数据RAM。 灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.8 V至3.6 V应用电源和I/O。POR、PDR、PVD和BOR。4至26 MHz晶体振荡器
是低功耗CMOS 8位微控制器,基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。
LPC1759/58/56/54/52/51 是基于 ARM Cortex-M3 的微控制器,适用于嵌入式应用,具有高度集成和低功耗的特点。ARM Cortex-M3 是下一代核心,提供了系统增强功能,如增强的调试特性和更高水平的支持块集成。LPC1758/56/57/54/52/51 的 CPU 工作频率最高可达 100 MHz。LPC1759 的 CPU 工作频率最高可达 120 MHz。ARM Cortex-M3 CPU 采用了 3 级流水线,并使用哈佛架构,具有独立的本地指令总线和数据总线以及第三条外设总线。ARM Cortex-M3 CPU 还包括一个内部预取单元,支持推测分支。LPC1759/58/56/54/52/51 的外设包括高达 512 KB 的闪存、高达 64 KB 的数据存储器、以太网 MAC、USB 设备/主机/OTG 接口、8 通道通用 DMA 控制器、4 个 UART、2 个 CAN 通道、2 个 SSP 控制器、SPI 接口、2 个 I2C 总线接口、2 输入加 2 输出 I2S 总线接口、6 通道 12 位 ADC、10 位 DAC、电机控制 PWM、正交编码器接口、4 个通用定时器、6 输出通用 PWM、带有独立电池供电的超低功耗实时时钟 (RTC),以及多达 52 个通用 I/O 引脚。
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STM32F030x4、STM32F030x6、STM32F030x8 和 STM32F030xC 微控制器集成了高性能的 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 内核,工作频率为 48 MHz,高速嵌入式存储器(高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口(最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART)、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。这些微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85°C,供电电压范围为 2.4 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。这些微控制器包括四种不同封装的设备,引脚数从 20 到 64 不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。
高精准12位ADC
十通道多模式宽频数字电容处理器芯片,支持单端电容、双端浮空电容和互电容等模式,10路单端电容/5路双端电容测量,电容测量范围1pF~10nF,频率范围100KHz~30MHz,32-bit Arm®Cortex®-M0,工作频率可达48MHz,16KB Flash存储器,2KB SRAM,供电电压2.3V~5.5V,工作温度范围-40℃~+85℃,I2C协议数字输出,QFN24封装,广泛用于液位测量、含水率测量、干湿度分析、水浸传感、介电检测、接近感知、按键触控等场景。
特性:高性能RISC CPU:仅需学习49条指令,除跳转指令外,所有指令为单周期指令。工作速度:DC-32MHz振荡器/时钟输入,DC-125ns指令周期。带有自动现场保护的中断功能。带有可选上溢/下溢复位的16级深硬件堆栈。直接寻址、间接寻址和相对寻址模式。2个完整的16位文件选择寄存器(FSR)。FSR可读程序和数据存储器。 灵活的振荡器结构:高精度32MHz内部振荡器模块,出厂时精度校准到±1%(典型值),软件可选频率范围为31kHz至32MHz
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MSPM0G350x 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MCU 系列,该 MCU 系列基于增强型 Arm Cortex-M0+ 32 位内核平台,工作频率最高可达 80MHz。这些低成本 MCU 提供高性能模拟外设集成,支持 -40℃ 至 125℃ 的工作温度范围,并在 1.62 V 至 3.6 V 的电源电压下运行。MSPM0G350x 器件提供具有内置纠错码 (ECC) 且高达 128KB 的嵌入式闪存程序存储器以及具有 ECC 和硬件奇偶校验选项且高达 32KB 的 SRAM。这些 MCU 还包含一个存储器保护单元、7 通道 DMA、数学加速器和各种高性能模拟外设,例如两个 12 位 4MSPS ADC、一个可配置内部共享电压基准、一个 12 位 1Msps DAC、三个具有内置基准 DAC 的高速比较器、两个具有可编程增益的零漂移零交叉运算放大器和一个通用放大器。这些器件还提供智能数字外设,例如两个 16 位高级控制计时器、五个通用计时器(具有一个用于 QEI 接口的 16 位通用计时器、两个用于待机模式的 16 位通用计时器和一个 32 位通用计时器)、两个窗口式看门狗计时器以及一个具有警报和日历模式的 RTC。这些器件提供数据完整性和加密外设(AES、CRC、TRNG)以及增强型通信接口(四个 UART、两个 I2C、两个 SPI 以及 CAN 2.0/FD)。TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件,可让客户找到满足其工程需求的 MCU。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合,使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。MSPM0G350x MCU 由广泛的硬件和软件生态系统提供支持,随附参考设计和代码示例,便于您快速开始设计。开发套件包括可供购买的 LaunchPad。TI 还提供免费的 MSP 软件开发套件 (SDK),该套件在 TI ResourceExplorer 中作为 Code Composer Studio IDE 桌面版和云版组件提供。MSPM0 MCU 还通过 MSP Academy 提供广泛的在线配套资料、培训,并通过 TI E2E 支持论坛提供在线支持。
EFM8BB2属于忙碌蜂系列MCU的一部分,是一条多功能的8位微控制器产品线,具有全面的功能集且封装小巧。这些设备通过将先进的模拟功能和增强的高速通信外设集成到小尺寸封装中提供了高价值,使其非常适合空间受限的应用。凭借高效的8051内核、增强的脉宽调制以及精密的模拟功能,EFM8BB2系列也非常适合嵌入式应用。EFM8BB2的应用包括电机控制、消费电子产品、传感器控制器、医疗设备、照明系统以及高速通信中心。主要特性包括一个具有50 MHz最高工作频率的流水线8位C8051内核,最多22个多功能、耐5V输入/输出引脚,一个12位模数转换器(ADC),两个内置DAC作为参考输入的低电流模拟比较器,集成温度传感器,带有特殊硬件杀/安全状态能力的3通道PWM/PCA,五个16位定时器,两个UART,SPI,SMBus/I2C主/从和I2C从机接口,以及用于灵活引脚映射的优先级交叉开关。
多版本随机发货,不可指定 2V~3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM Cortex-M3主频(MAX):73MHz ROM类型:FLASH 128K
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32位MCU Arm Cortex -M3内核,最高 120MHz 工作频率,Flash:512KB,SRAM:128KB,VDD范围:2.0~3.6V,GPIOs:51,封装:LQFP64,APM32F103RETE升级型号,兼容STM32F103RET6。 存储器
特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。64至128 Kbytes的闪存。16 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V
是基于ARM Cortex-M0内核的低成本微控制器系列,可用于现有的8位/16位的应用,为用户提供高性能、低功耗、易于使用的指令集和存储器地址空间,以及比现有8位/16位架构更精简的代码量。工作频率高达50MHz。外设包括:高达32kB的Flash、8kB的数据存储器、一个Fast-mode Plus的I²C总线接口、一个RS-485/EIA-485通用异步收发器(UART)、2个支持SSP功能的SPI接口、4个通用定时器,一个10位ADC,以及多达42个通用I/O引脚。
把参数交给工程师。
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。