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特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。 复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。 多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力

STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列集成了高性能的 ARM Cortex -M3 32 位 RISC 内核，工作频率为 72 MHz，高速嵌入式存储器（Flash 存储器高达 256 Kbytes 和 SRAM 64 Kbytes），以及一系列增强的 I/O 和连接到两个 APB 总线的外设。所有设备都提供两个 12 位 ADC、四个通用 16 位定时器加一个 PWM 定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个 I2C、三个 SPI、两个 I2S、五个 USART、一个 USB OTG FS 和两个 CAN。以太网仅在 STM32F107xx 上可用。STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列的工作温度范围为 -40 至 +105°C，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列提供了三种不同封装类型的产品：从 64 引脚到 100 引脚。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合，下面的描述概述了该系列提供的完整外设范围。这些特性使得 STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列微控制器适用于广泛的应用，如电机驱动和应用控制、医疗和手持设备、工业应用、PLC、逆变器、打印机和扫描仪、报警系统、视频对讲、HVAC 和家庭音频设备。

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AVR核心结合了丰富的指令集与32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。这种架构在实现比传统CISC微控制器快十倍的吞吐量的同时，代码效率更高。ATmega128A提供了以下特性：128K字节系统内可编程闪存，具有读写同时进行的能力；4K字节EEPROM；4K字节SRAM；53条通用I/O线；32个通用工作寄存器；实时时钟（RTC）；四个带有比较模式和PWM功能的灵活定时器/计数器；两个USART；一个面向字节的二线串行接口；一个8通道、10位ADC，带可选差分输入级及可编程增益；带有内部振荡器的可编程看门狗定时器；一个SPI串行端口；符合IEEE std. 1149.1标准的JTAG测试接口，也可用于访问片上调试系统及编程；以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行但允许SRAM、定时器/计数器、SPI端口及中断系统继续工作。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位为止。在节能模式下，异步定时器继续运行，使得用户可以在设备其余部分休眠时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU及所有I/O模块（除了异步定时器和ADC）以减少ADC转换期间的开关噪声。待机模式下晶体/谐振器振荡器运行而设备其他部分处于休眠状态，这允许非常快速启动的同时保持低功耗。扩展待机模式下主振荡器和异步定时器都继续运行。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口使用常规非易失性存储器编程器或者运行在AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用Flash存储器中。当应用程序Flash部分被更新时，位于Boot Flash区域中的软件将继续运行，提供真正的读写同时操作能力。通过将8位RISC CPU与单片上的系统内自编程Flash相结合， ATmega128A是一款强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega128A AVR得到一整套程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器以及评估套件。

特性：无漏码。 非线性度：0.0015%。 可编程转换速率高达1 ksps。 8输入多路复用器。 增益放大器（PGA）：1x至128x。 内置温度传感器

TMS320F28062 具有 90MHz 频率、FPU、128KB 闪存、52KB RAM 的 C2000™ MCU

适用于嵌入式应用的基于ARM Cortex-M3的微控制器，具有高度集成和低功耗的特点。ARM Cortex-M3是下一代内核，提供系统增强功能，如增强的调试功能和更高级别的支持块集成。可在高达100 MHz（部分型号）或120 MHz（LPC1759）的CPU频率下运行。ARM Cortex-M3 CPU采用3级流水线，使用哈佛架构，具有独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线，还包括一个支持推测分支的内部预取单元

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AM3352 Sitara 处理器: Arm Cortex-A8、1Gb 以太网、支持显示效果、CAN

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式（LDO模式）100μA/MHz，运行模式（@3.3V SMPS模式）39μA/MHz

特性：包含意法半导体先进的专利技术。核心：32位Arm Cortex-A7，L1 32KB指令/32KB数据缓存，128KB统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。存储器：外部DDR内存最大1GB，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位；168KB内部SRAM（128KB AXI SYSRAM + 32KB AHB SRAM + 8KB备份域SRAM）；双Quad-SPI内存接口；灵活的外部内存控制器，最大16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，支持8位ECC。安全/防护：TrustZone外设，12个防篡改引脚（包括5个主动防篡改），具备温度、电压、频率和32kHz监测功能。复位和电源管理：1.71V至3.6V I/O电源（5V耐受I/O），POR、PDR、PVD和BOR，片上LDO（USB 1.8V、1.1V），备份稳压器（~0.9V），内部温度传感器，低功耗模式（睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机）。时钟管理：内部振荡器（64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器），外部振荡器（8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器），4个带分数模式的PLL。通用输入/输出：最多135个带中断功能的安全I/O端口，最多6个唤醒功能。互连矩阵：2个总线矩阵，64位Arm AMBA AXI互连，最高266MHz；32位Arm AMBA AHB互连，最高209MHz

TMS320F280049C 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000™ MCU

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

AM3358 Sitara 处理器: Arm Cortex-A8、3D 图形、PRU-ICSS、CAN

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BH67F5245是一款8位具有高性能精简指令集且内置一个多通道24- bit Delta Sigma A/D转换器的A/D Flash单片机，专门为需直接连接至模拟信号且要求低噪声，高精度A/D转换器的应用而设计。该单片机具有一系列功能和特性，其Flash存储器可多次编程的特性给客户提供了较大的方便。除了Flash程序存储器，还包括RAM数据存储器和用于存储序列数据、校准数据等非易失性数据的trueEEPROM存储器。

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特性：最高120MHz工作频率，带存储器保护单元（MPU），内建单周期乘法和硬件除法，具有DSP指令集。 16K字节到64K字节的闪存程序/数据存储器。 4K字节的系统存储器作启动加载程序（Bootloader）用，可一次性配置成一般用户程序和数据区。 sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。 8K字节到16K字节的SRAM。 2.4至3.6伏供电和I/O引脚

特性：最高120MHz工作频率，带存储器保护单元（MPU），内建单周期乘法和硬件除法，具有DSP指令集。 16K字节到64K字节的闪存程序/数据存储器。 4K字节的系统存储器作启动加载程序（Bootloader）用，可一次性配置成一般用户程序和数据区。 sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。 8K字节到16K字节的SRAM。 2.4至3.6伏供电和I/O引脚