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版本：A2 工作电压：2V ~ 3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM? Cortex?-M3 主频（MAX)：96MHz ROM类型：FLASH APM32 Series 32-bit 512 kB Flash 128 kB RAM FPU LQFP-64

特性：基于32位ARM Cortex-M3内核，最高96MHz工作频率。512Kbytes闪存存储器分为4个Bank，可同时对不同Bank分别进行读写操作。高达128Kbytes SRAM存储器。带4个片选的外部存储控制器（EMMC），支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR NAND存储器。并行LCD接口，兼容8080/6800模式。供电电压2.0 ~ 3.6V

MSP430F6736 具有 3 个 Σ-Δ ADC、LCD、实时时钟、128KB 闪存、8KB RAM 的单相计量 SoC

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

4 MB SPI flash，工作电压/供电电压：3.0 ~ 3.6 V，建议工作温度范围：–40 ~ 85 °C

特性：带有FPU的32位Arm Cortex-M4F内核，最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB。 SRAM：系统（192KB）+ 备份（4KB）。 EMMC支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器

TMS320F28034 具有 60MHz 频率、128KB 闪存的 C2000™ MCU

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

特性：工作电压范围：2.7V至5.5V。环境温度范围：HSRUN模式为 -40℃至105℃，RUN模式为 -40℃至150℃。Arm Cortex-M4F/M0+内核，32位CPU，HSRUN模式下支持高达112MHz频率，每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm内核，集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）。4-40 MHz快速外部振荡器（SOSC），外部时钟模式下支持高达50MHz直流外部方波输入时钟。48 MHz快速内部RC振荡器（FIRC）

特性：带有FPU的32位Arm Cortex-M4F内核，最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB。 SRAM：系统（192KB）+ 备份（4KB）。 EMMC支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器

精密模拟微控制器，12位模拟I/O，具有增强型IRQ处理程序的ARM7TDMIMCU

是一款基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。与传统的CISC微控制器相比，该架构代码效率更高，吞吐量提高了十倍。

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存执行零等待状态性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达1 Mbyte的闪存；512字节的OTP存储器；高达128 + 4 Kbytes的SRAM；灵活的静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器；LCD并行接口，8080/6800模式。

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

特性：±1 LSB INL；保证单调。 可编程吞吐量高达100 ksps。 13个外部输入；可配置为单端或差分。 可编程放大器增益：16、8、4、2、1、0.5。 数据相关窗口中断发生器。 内置温度传感器 (±3℃)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式（LDO模式）100μA/MHz，运行模式（@3.3V SMPS模式）39μA/MHz

超低功耗模块 - 双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32 MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙LE 5.2、802.15.4、Zigbee、Thread、USB、LCD和AES-256