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特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 带有TrustZone FPU的Arm Cortex-M33 CPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。 高达2 Mbyte的带ECC嵌入式闪存，2个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte的高循环能力（100 K周期）数据闪存

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -1.71V至3.6V电源。 -40℃至85/105/125℃温度范围。 -8nA关机模式（2个唤醒引脚）。 -28nA待机模式（2个唤醒引脚）。 -280nA带RTC的待机模式。 -1.0μA停止2模式，带RTC时为1.28μA。 -84μA/MHz运行模式。 -批量采集模式（BAM）

Dual-core 64bit RISC-V @ 400MHz SOC

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式（eBAM），1.7至3.6V电源，-40℃至85/105/125℃温度范围。 内核：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存零等待状态执行，频率高达100MHz，内存保护单元，125 DMiPS/1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1.5MB闪存，320KB SRAM，灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

特性：包含先进的专利技术。 32位双核Arm Cortex-A7，每个核心L1有32K字节指令缓存和32K字节数据缓存，256K字节统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。 32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU，最高209 MHz（最高703 CoreMark）。 外部DDR内存最高1 Gbyte，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位。 708 K字节内部SRAM，包括256 K字节AXI SYSRAM、384 K字节AHB SRAM、64 K字节备份域AHB SRAM和4 K字节备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口。 灵活的外部内存控制器，最高16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，最高8位ECC。 具备TrustZone外设，Cortex-M4资源隔离

TM4C1294KCPDT 具有 120MHZ 频率、512KB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+PHY、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。 高达 1 Mbyte 的闪存。 高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM，包括 64-Kbyte 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM。 灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，8080/6800 模式。 1.8 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。 PCR、PDR、PVD 和 BOR。 4 至 26 MHz 晶体振荡器

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。 待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

AVR ATmega128 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega128 实现接近 1MIPS/MHz 的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。ATmega128 提供了以下特性：128K 字节的片内可编程 Flash，具有读写能力，4K 字节 EEPROM，4K 字节 SRAM，53 条通用 I/O 线，32 个通用工作寄存器，实时计数器 (RTC)，四个具有比较模式和 PWM 的灵活定时器/计数器，2 个 USART，一个字节定向的双线串行接口，一个 8 通道、10 位 ADC，具有可选差分输入级和可编程增益，具有内部振荡器的可编程看门狗定时器，一个 SPI 串行端口，符合 IEEE std. 1149.1 的 JTAG 测试接口，也用于访问片上调试系统和编程，以及六种软件可选的省电模式。空闲模式停止 CPU，同时允许 SRAM、定时器/计数器、SPI 端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时器基准。ADC 降噪模式停止 CPU 和所有 I/O 模块，除了异步定时器和 ADC，以最小化 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器正在运行，而设备其余部分正在休眠。这允许非常快的启动与低功耗相结合。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器继续运行。

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存；频率高达480 MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM：192 Kbytes TCM RAM（含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序），864 Kbytes用户SRAM，4 Kbytes备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133 MHz。 灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz，SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位，NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。 多达168个I/O端口，具备中断能力

特性：工作条件：2.3V-3.6V，-40℃-+105℃，直流至80MHz。 MIPS16e模式，代码大小最多可缩小40%。 代码高效（C和汇编）架构。 单周期（MAC）32×16和双周期32×32乘法。 0.9%内部振荡器（部分型号）。 可编程PLL和振荡器时钟源

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

基于16/32位ARM7TDMI-S CPU，具有实时仿真和嵌入式跟踪支持，以及128/256 kB嵌入式高速闪存。128位宽内存接口和独特的加速器架构，可在最大时钟速率下实现32位代码执行。对于关键代码大小应用，可选的16位Thumb模式可将代码减少30%以上，且性能损失最小。其采用144引脚封装，低功耗，拥有各种32位定时器、8通道10位ADC、PWM通道和多达9个外部中断引脚，特别适用于工业控制、医疗系统、门禁控制和销售点

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。 高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

特性：包含先进的专利技术。 双核：32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存（16KB数据缓存和16KB指令缓存），频率高达480MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令；32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator），频率高达240MHz，具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 内存：高达2MB的闪存，支持读写同时进行；1MB的RAM，包括192KB的TCM RAM（含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）、864KB的用户SRAM和4KB备份域的SRAM；双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz；灵活的外部内存控制器，具有高达32位的数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达125MHz；具备CRC计算单元。 安全：ROP、PC-ROP、主动防篡改。 通用输入/输出：多达168个具有中断功能的I/O端口。 复位和电源管理：3个独立的电源域，可独立进行时钟门控或关闭；1.62至3.6V的应用电源和I/O；POR、PDR、PVD和BOR；专用USB电源，内置3.3V内部稳压器为内部PHY供电；嵌入式稳压器（LDO）为数字电路供电；高效SMPS降压转换器稳压器，可直接为VCORE和/或外部电路供电；运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）；备份稳压器（约0.9V）；模拟外设的电压参考/VREF+；1.2至3.6V的电池供电；低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT模式。 低功耗：VBAT电池工作模式，具备充电能力；CPU和域电源状态监控引脚；待机模式下2.95μA（备份SRAM关闭，RTC/LSE开启）。 时钟管理：内部振荡器：64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI；外部振荡器：4-48MHz HSE、32.768kHz LSE；3个PLL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟），具备分数模式

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，有MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达2 MB闪存，分两个存储体，支持边读边写；高达256 + 4 KB SRAM，包括64 KB CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的外部存储器控制器，数据总线高达32位，支持SRAM、PSRAM、SDRAM、LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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