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微控制器 / 逻辑器件型号

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74LVC1G57是一款带施密特触发器输入的可配置多功能门电路。该器件可通过3位输入配置成以下任意逻辑功能:与门、或门、与非门、或非门、同或门、反相器和缓冲器

Nexperia(安世)SC-74
微控制器 / 逻辑器件逻辑门
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具有开漏输出的4通道、2 输入与非门

GR(国睿)SOP-14
微控制器 / 逻辑器件逻辑门
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74LVC1G02-Q100 是一款单路 2 输入或非门。其输入可由 3.3 V 或 5 V 器件驱动。

Nexperia(安世)TSSOP-5-1.3mm
微控制器 / 逻辑器件逻辑门
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2-输入与非门

TOSHIBA(东芝)SOT-353
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双2输入与门

TOSHIBA(东芝)SOT-505
微控制器 / 逻辑器件逻辑门
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特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。输出驱动能力:5个LSTTL负载。对称输出阻抗:|IO_H| = |IO_L| = 2mA(最小值)。平衡传播延迟:tp_LH ≡ tp_HL。宽工作电压范围:VCC = 2至6V

TOSHIBA(东芝)SSOP-5-1.3mm
微控制器 / 逻辑器件逻辑门
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四 2 输入与门。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入与门。在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的 4 级组成,具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及电池备份等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

TOSHIBA(东芝)TSSOP14B
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工作电压:5-15V CMOS 四路异或门

HGSEMI(华冠)SOP-14
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工作电压范围为 2.0V 至 6.0V,工作温度范围为 - 40°C 至 + 125°C

TDSEMIC(拓电半导体)SOP-14
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CD4073是一款三3输入与门。其输出经过全缓冲处理,具备高抗噪能力,且输出阻抗变化对其输出模式无影响

LX(灵星芯微)SOP-14
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四路 2 输入施密特触发与非门

HGSEMI(华冠)TSSOP-14
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特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNI H = VNI L = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V

TOSHIBA(东芝)SC-74A(SOT-753)
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RUNIC(润石)SC-70-5
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RUNIC(润石)SC-70-5
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特性:提供系统直接实现与功能,并补充现有的CMOS门系列。 中速运行-Tₚₗₕ、Tₚₕₗ = 60ns(典型值),VDD = 10V。 100%测试20V时的静态电流。 全封装温度范围内,18V时最大输入电流为1μA,18V和25℃时为100nA。 噪声容限(全封装温度范围):VDD = 5V时为1V,VDD = 10V时为2V,VDD = 15V时为2.5V。 标准化、对称输出特性,5V、10V和15V参数额定值。 符合JEDEC暂行标准No.13B标准规格

HGSEMI(华冠)TSSOP-14
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2-input NAND gate; open drain

EnergyMath(芯祥科技)DFN-6L(1x1.5)
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AiP74HC/HCT02是一款四2输入或非门。输入级包含钳位二极管,因此可使用限流电阻,将输入接口连接到高于VCC的电压

I-CORE(中微爱芯)SOP-14
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RUNIC(润石)SC-70-6
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特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125°C。 高速运行:tpd = 4.3 ns(典型值)(VCC = 5.0 V,CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25°C)。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。 5.5 V 耐压输入。 宽工作电压范围:VCC = 2.0 至 5.5 V

TOSHIBA(东芝)SC-74A(SOT-753)
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LX(灵星芯微)SOP-14
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