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是32位核心紧凑型MCU，适用于电机控制应用，集成了普通电机控制系统所需的所有模块，集成三对P-N MOSFET驱动模块，可直接驱动3对P-N MOSFET，部分型号集成了PN-MOS。

是32位核心紧凑型MCU，适用于电机控制应用，集成了普通电机控制系统所需的所有模块，集成三对P-N MOSFET驱动模块，可直接驱动3对P-N MOSFET，部分型号集成了PN-MOS。

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特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

MSPM0L1105 具有 32KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU

ARM-based 32-bit MCU, with up to 128KB Flash, USB FS 2.0, CAN, 7 timers, ADC & 9 comm. interfaces, 1.8-5.5V 特点：1. ARM 32位 Cortex-M4 CPU，最高频率72 MHz。2. 存储：128KB FLASH、20KB SRAM。3. 宽范围工作电压：1.8~5.5V。4. 丰富的外设：ADC、TIMER、SPI、USART、I2C、I2S、DMA、WDT、TS、VREF、USB、CAN。5. 高性能：在72MHz时coremark为191.4分, 领先国际竞品。6. 低功耗：26.7mA@72MHz；7.5uA@STOP mode。7. DSP单元。11. 软、硬件兼容国际竞品。

基于Arm® Cortex®-M4F 内核的32位微控制器

CW32F030x6/x8是基于eFlash的单芯片微控制器，集成了主频高达64MHz的ARM Cortex-M0+内核、高速嵌入式存储器（多至64K字节FLASH和多至8K字节SRAM）以及一系列全面的增强型外设和I/O口。所有型号都提供全套的通信接口（三路UART、两路SPI和两路I2C）、12位高速ADC、七组通用和基本定时器以及一组高级控制PWM定时器。CW32F030x6/x8可以在-40°C到105°C的温度范围内工作，供电电压宽达1.65V~5.5V。

HC32L130/HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

MSPM0L1306 具有 64KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 OPA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU

频率 (MHz)：150，FLASH (KB)：128，SRAM (KB)：32，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：QFN32

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微控制器具有模拟、独立于内核的外设和通信外设，并结合超低功耗（XLP）技术，适用于广泛的通用和低功耗应用。设备具有多个PWM、多种通信功能、温度传感器和内存功能，如内存访问分区（MAP）以支持数据保护和引导加载程序应用，以及存储工厂校准值的设备信息区（DIA），有助于提高温度传感器的准确性。

HC32L130/HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

该产品属于GD32 MCU系列的超值系列，是一款基于高性能ARM Cortex-M3 RISC内核的32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。集成了以72 MHz频率运行的ARM Cortex-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达64 KB的片上闪存和高达8 KB的SRAM

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特性：核心最大CPU频率：16 MHz。采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。中密度闪存/EEPROM。程序存储器：32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。数据存储器：128字节真实数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期