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SN74LS14是一个六反相施密特触发器。

HT40106A六反相施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，以单块集成电路结构制成。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。HT40106A可替代MC14069UB六反相器，以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行“整形”

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成，可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

SN74LV05A 具有漏极开路输出的 6 通道、2V 至 5.5V 反相器

SN74LVC1G14 具有施密特触发输入的单路 1.65V 至 5.5V 反相器

MM74HC14采用先进的硅栅CMOS技术，具备标准CMOS的低功耗和高抗噪能力，还能驱动10个LS-TTL负载。74HC逻辑系列在功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入均通过连接到V(CC)和地的内部二极管钳位保护，防止因静电放电而损坏

SN74ACT04 具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 6 通道 4.5V 至 5.5V 反相器

HEF40106B 是一款带施密特触发器输入的六反相器。输入包含钳位二极管，这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过 VDD 的电压。

HEF4049B提供六个具有高电流输出能力的反相缓冲器，适用于驱动TTL负载或高容性负载。由于允许输入电压超过缓冲器的电源电压，因此这些缓冲器还可用于将高达15 V的逻辑电平转换为标准TTL电平。它的推荐VDD电源电压范围为相对于VSS（通常为地）的3 V至15 V

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。 高输出电流：±24 mA（最小值），VCC = 3.0 V。 超高速运行：tpd = 2.3 ns（典型值），VCC = 5.0 V，CL = 50 pF。 工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。 在 3.3 V VCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

SN74AHC04 6 通道、2V 至 5.5V 反相器

SN74AUP3G14 具有施密特触发输入的 3 通道、0.8V 至 3.6V 低功耗反相器

SN74AHCT14 具有施密特触发输入的 6 通道 4.5V 至 5.5V 反相器

六施密特反相器 TC74AC14FT 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。

SN74LVC3G04 3 通道、1.65V 至 5.5V 反相器

CD4049UB 6 通道、3V 至 18V 反相器

CD4069UB 6 通道、3V 至 18V 反相器

单路 1.65V 至 5.5V 反相器

74AUP1G14是一款高性能单反相器，具有施密特触发器输入，工作电源电压范围为0.8V至3.6V。