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N32L40X系列采用32bit ARM Cortex-M4内核,最高工作主频64MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成高达128KB嵌入式加密Flash,24KB SRAM、集成丰富的高性能模拟器件,内置1个12bit 4.5Msps ADC,2路独立轨到轨运算放大器,2个高速比较器,1个1Msps 12bit DAC,支持多达24通道电容式触摸按键,集成多达320段的Segment LCD驱动,集成多路U(S)ART、I²C、SPI、USB、CAN等数字通信接口,内置密码算法硬件加速引擎。
LKS32MC03x_6N系列是32位内核的面向电机控制应用的紧凑型MCU,集成了三相全桥自举式栅极驱动模块,可直接驱动6个N型MOSFET。
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基于Arm® Cortex®-M4F 内核的32位微控制器
特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,最高频率120 MHz,带有内存保护单元(MPU)、单周期乘法和硬件除法、DSP指令。 存储器:16至64 KB内部闪存;4 Kbytes启动内存用作引导加载程序;sLib:主闪存的可配置部分,设置为库区域,代码可执行但受保护、不可读;8至16 Kbytes SRAM。 电源控制(PWC):2.4至3.6V电源;上电复位(POR)、低压复位(LVR)和电源电压监控(PVM);低功耗模式:睡眠、深度睡眠和待机模式;四个唤醒引脚用于从待机模式唤醒;支持5×32位电池供电寄存器(BPR)。
特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和三级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8KB Flash,在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:640 字节真正的数据 EEPROM,耐久性 300k 周期。 RAM:1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC
基于Arm® Cortex®-M0 内核的32位微控制器
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特性:高性能RISC CPU,仅需学习35条指令。 所有单周期指令,除分支指令外。 工作速度:DC-16 MHz时钟输入,DC-250 ns指令周期。 八级深度硬件堆栈。 中断能力。 处理器可对程序存储器进行自写/读访问
MSP430G2402 具有 8KB 闪存、256B SRAM、SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU
HC32F190/ HC32F196 系列是一款宽电压工作范围的通用 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC,1 个12 位DAC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件,支持C 语言及汇编语言,汇编指令。
特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,指令集扩展。 程序存储器:高达 32 Kbyte Flash;在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM;耐久性 300 k 周期。 RAM:高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
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Mixed Signal ISP Flash MCU Family
特性:32 位Arm Cortex-M0+内核最高48MHz 工作频率。 片上存储器Flash:64~128KB,SRAM:16KB。 4~32MHz 晶体振荡器。 带校准的32kHz RTC 振荡器。 内部8MHz RC 振荡器。 内部48MHz 自动校正RC 振荡器
N32G452系列采用32 bit ARM Cortex-M4F内核,最高工作主频144MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成多达512KB Flash,144KB SRAM,2x12bit 4.7Msps ADC,2x1Msps 12bit DAC,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口,1xSDIO接口,内置密码算法硬件加速引擎。
特性:C编译器优化架构。 仅49条指令。 工作速度:2.5V时,直流-20MHz时钟输入。1.8V时,直流-16MHz时钟输入。直流-200ns指令周期。 具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈,可选溢出/下溢复位。 直接、间接和相对寻址模式:两个完整的16位文件选择寄存器(FSRs)
基于 32 位 RISC-V 指令集和架构的工业级通用微控制器。不同的核心型号根据产品性能和资源的差异进行匹配,该系列产品加载了丰富的外设接口和功能模块,其内部组织结构满足低成本、低功耗的嵌入式应用场景。
特性:工作特性: 电压范围:2.7至5.5V。 闪存写入电压范围:2.7至5.5V。 温度范围(环境):-40至105°C。 性能: 高达40 MHz的Arm Cortex-M0+内核和高达20 MHz的总线时钟。 单周期32位x 32位乘法器。 单周期I/O访问端口
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