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该设备属于GD32 MCU系列的价值产品线。它是一款基于高性能ARM Cortex -M3 RISC内核的32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex®-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了工作频率为72 MHz的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核，具有零等待状态的闪存访问，以获得最高效率

特性：仅需学习49条指令，除分支指令外均为单周期指令。 工作速度：DC – 32 MHz振荡器/时钟输入，DC – 125 ns指令周期。 具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈，可选溢出/下溢复位。 直接、间接和相对寻址模式，两个完整的16位文件选择寄存器（FSRs），FSRs可读取程序和数据存储器。 精密32 MHz内部振荡器模块，工厂校准至±1%（典型值），软件可选频率范围为31 kHz至32 MHz。 31 kHz低功耗内部振荡器。 四种高达32 MHz的晶体模式

特性：只需要学习49条指令，除了跳转指令以外所有的指令都是单周期的。 工作速度：DC—振荡器/时钟的输入频率为32 MHz，指令周期为125 ns。 最多16K x 14字的闪存程序存储器。 最多1024字节的数据存储器（RAM）。 带自动现场保护的中断功能。 16级深硬件堆栈。 直接、间接和相对寻址模式。 处理器对程序存储器的读访问

特性：带有FPU的32位Cortex-M4F CPU。 最高216MHz工作频率，带存储器保护单元（MPU），内建单周期乘法和硬件除法。 内建浮点运算（FPU）。 具有DSP指令集。 128K字节到256K字节的闪存存储器。 20K字节的启动程序代码区作启动加载程序（Bootloader）用，可一次性配置成一般用户区。 sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。 70K字节到102K字节的SRAM（前48K字节可规划带奇偶校验）

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

CW32L083是基于eFlash的单芯片低功耗微控制器，集成了主频高达64MHz的ARM® Cortex®-M0+内核、高速嵌入式存储器（多至256K字节FLASH和多至24K字节SRAM）以及一系列全面的增强型外设和I/O口。所有型号都提供全套的通信接口（六路UART、两路SPI和两路I2C）、12位高速ADC、七组通用和基本定时器、一组低功耗定时器以及一组高级控制PWM定时器。CW32L083可以在 -40°C到85°C的温度范围内工作，供电电压宽达1.65V~5.5V。

是低功耗、基于AVR增强型RISC架构的8位CMOS微控制器。通过在单个时钟周期内执行指令，该器件实现了每兆赫兹接近100万条指令每秒（MIPS）的CPU吞吐量，允许系统设计人员优化功耗与处理速度。

32位微处理器ARM COREX M3核 LQPF-64封装 256K内存 主完全兼容STM32F103RCT6、APM32F103RCT6

特性：ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU，120MHz/150DMIPS，128KB Flash，36KB SRAM，5KB OTP，15Timers，6HRPWMs，3ADCs，3DACs，3CMPs，4UARTs，3LINs，1SPI，1I2C，2CAN FDs（FD/2.0B）。 集成FPU、MPU。 支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。 最高工作主频120MHz，达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。 最大128KB的Flash memory，最大36KB的单周期访问高速SRAM。 系统电源：1.8~3.63V。应用：面向AC/DC、DC/DC数字电源应用，如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。 程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

N32G455系列采用32 bit ARM Cortex-M4F内核，最高工作主频144MHz，支持浮点运算和DSP指令，集成多达512KB Flash,144KB SRAM，4x12bit 5Msps ADC，4个运算放大器，7个模拟比较器，2x1Msps 12bit DAC，支持多达24通道电容式触摸按键，集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口，1xSDIO接口，内置密码算法硬件加速引擎。

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特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDA从VDD至3.6V

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特性：高性能、低功耗的Atmel AVR 8位微控制器系列，采用先进的RISC架构。 131条强大指令，多数单时钟周期执行。 32×8通用工作寄存器。 全静态操作，在20MHz下吞吐量高达20MIPS。 片上2周期乘法器。 高耐久性非易失性内存段，具备4/8/16/32KB系统内自编程闪存程序存储器、256/512/512/1KB EEPROM、512/1K/1K/2K内部SRAM

MSP430F1121A 具有 4KB 闪存、256B SRAM、计时器、比较器的 8MHz MCU

32位MCU，封装：LQFP100，APM32F103VETE升级型号，兼容STM32F103VET6。 存储器，EMMC：支持 CF卡、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND存储器

MSP430FR2533 具有 16 个触摸 IO（24 个传感器）、16KB FRAM、2KB SRAM、19 个 IO、10 位 ADC 的电容式触控 MCU

TMS320F2800137 具有 120MHz 频率、256KB 闪存、FPU 和 TMU 的 C2000™ MCU