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SN74AUC2G53 2.5V、2:1 (SPDT)、单通道通用模拟开关

FSW6820三通道差分高速USB3.1(10Gbps)及USB2.0 4:1多路复用器/解复用器

DG211B, DG212B 模拟开关是行业标准DG211,DG212的高度改进版本。这些TTL和CMOS兼容的逻辑设备采用Vishay Siliconix专有的硅栅CMOS工艺制造,具有更低的导通电阻、更低的泄漏电流、更高的速度和更低的功耗。

TS3DDR4000 是一款12位宽总线的1:2或2:1高速DDR2/DDR3/DDR4开关/多路复用器。A端口可以同时切换到B或C端口。设计用于DDR2, DDR3和DDR4内存总线系统。

ADG736是一款单电源1.8V至5.5V工作的CMOS低电压双SPDT开关。具有低导通电阻、宽输入信号带宽和快速切换时间。

具有四个常开(NO)单刀单掷(SPST)单电源CMOS模拟开关,工作电压范围为2V至12V。

工作电压4.5V~30V或±4.5V~±20V;4路单刀单掷(SPST);最大额定工作电压44V;低导通电阻10Ω;产品对标MAX314

工作电压4.5V~30V或±4.5V~±20V;4路单刀单掷(SPST);最大额定工作电压44V;低导通电阻10Ω;产品对标MAX312

36V低电容、低电荷注入、精密模拟多路复用器。MUX508提供8:1单端通道,而MUX509提供4:1差分通道或双4:1单端通道。

1.8V至5.5V单电源或±2.5V双电源供电,3Ω导通电阻,100pA泄漏电流,14ns切换时间,8-to-1单端多路复用器和4-to-1差分多路复用器。

低电压CMOS设备,包含两个独立选择的单刀双掷(SPDT)开关。提供极低的导通电阻,并具有高电流处理能力。

宽电源电压范围:±5V至±16.5V(双)或10V至16.5V(单),具有低导通电阻和低泄漏电流,适用于高精度测量应用。

CMOS 1.8 V 至 5.5 V 单电源供电,低导通电阻,高带宽,适用于电池供电系统、通信系统等。

低电压CMOS设备,包含三个独立可选的SPDT开关。适用于数据采集系统、通信系统等。

低导通电阻、低电荷注入的8:1单通道多路复用器。支持双电源电压范围±4.5V至±22V或单电源电压范围4.5V至44V。

低导通电阻、低电荷注入的4:1 2通道多路复用器。支持单电源电压范围4.5V至44V。

ADG5408/ADG5409为单芯片CMOS模拟多路复用器,分别内置8个单通道和4个差分通道。适用于继电器替代、自动测试设备、数据采集等应用。

LC2MOS,±5V、4通道、高性能模拟多路复用器

MUX36S16 1pA 开路泄漏电流、36V、16:1、单通道精密模拟多路复用器

低导通电阻 (4 Ω),超低功耗 (18 μW),快速切换时间,TTL-/CMOS 兼容。适用于继电器替代、音频和视频切换、自动测试设备、精密数据采集等。