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Clestek · 电子元器件型号库
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特性:高电容:通过改进陶瓷介电层的薄化工艺和多层叠层技术实现。高可靠性:在规定的环境条件下保持。低剩余电感和出色的频率特性。独特结构:采用TDK为高压应用设计的独特结构,尽管尺寸小但实现了高耐压。额定电压Edc:100V、200V和630V。引线设计:引线形成“扭结”以实现一致的插入高度,并便于在焊接过程中释放气体,显著提高可焊性。编带规格:提供编带规格以实现自动插入,有助于降低板载成本。符合RoHS指令:符合欧盟指令2011/65/EC,除豁免应用外,未使用铅、镉、汞、六价铬以及特定的溴基阻燃剂PBB和PBDE
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特性:容量范围:10pF 至 10μF。工作温度:-40°C 至 125°C。存储温度:-10°C 至 40°C。应用:小型、超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)。电子精密仪器
特性:容量范围:10pF 至 10μF。工作温度:-40°C 至 125°C。存储温度:-10°C 至 40°C。应用:小型、超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)。电子精密仪器
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特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦
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