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C3216X5R1E476M160AC
特性:低损耗:通过设计陶瓷材料和电极材料,在甚高频 (VHF)、超高频 (UHF) 和微波或更高频段实现低损耗。低电感:该电容器设计为使电容器在高频侧的寄生电感分量 (ESL) 更低。适合降低声学噪声和低失真:通过设计材料和配置,该产品可抑制使用陶瓷电容器时产生的声学噪声。抗挠曲开裂:该电容器设计为在电路板挠曲时尽可能防止因开裂导致的短路故障。抗焊接裂纹:金属端子和引线可缓解焊料膨胀和收缩产生的应力,从而抑制焊接裂纹。推荐电压和温度降额使用:该产品适用于在工作电路中连续施加到电容器的电压低于(降额)电容器额定电压的情况。特性:
COG 此类介质材料的电容器为 I 类电容器,电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的电路。X7R、X5R、X6S、X7T 此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比 I 类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路。Y5V 此类介质材料的电容器为II类电容器,是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路。
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特性:以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:一级。应用:个人电脑、硬盘、游戏电脑。 DVD、摄像机
COG 此类介质材料的电容器为 I 类电容器,电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的电路。X7R、X5R、X6S、X7T 此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比 I 类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路。Y5V 此类介质材料的电容器为II类电容器,是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路。
特性:以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:I级。应用:消费电子。调谐器。电视接收器。各类相机。电信。数据处理
COG 此类介质材料的电容器为 I 类电容器,电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的电路。X7R、X5R、X6S、X7T 此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比 I 类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路。Y5V 此类介质材料的电容器为II类电容器,是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路。
特性:以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:I级。应用:消费电子。调谐器。电视接收器。各类相机。电信。数据处理
高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
特性:以卷带形式供应。镍屏障端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。应用:PCs、硬盘、游戏PC。电源
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COG:此类介质材料的电容器为II类电容器,包括常规、中高压COG产品。此类产品电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。适用于低损耗,稳定性要求高的电路中,如滤波器、谐振器和计时电路中。X7R、X5R:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。Y5V:此类介质材料的电容器为II类电容器,是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路中。
容值:1uF 精度:±10% 额定电压:25V 材质(温度系数): X7R 材质:X7R
特性:以卷带形式供应。镍屏障端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。应用:PCs、硬盘、游戏PC。电源
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