特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:瓷介电容器适用于电子设备的电源电路噪声抑制电路中,也可用于天线耦合跨接和旁路电路中。
Clestek · 电子元器件型号库
海量元器件型号,
快速搜索匹配。
206307 个型号已录入产品库,支持按品类、品牌、封装和型号检索。
按器件类型快速筛选。
特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
公开页面暂无产品说明。
特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
变更升级前型号为 MP2224KGD4SLC
特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
特性:宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用:可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器
Y5U;D=9.0max;CP线 0.55mm;引脚长3.0mm;直脚/直引线;引线间距10mm
公开页面暂无产品说明。
X2103K2FAC12AAH/ZCSD 黄色
特性:阻燃增强型外部绝缘,可防止火灾、触电和其他潜在危险。符合11个国家的安全标准。符合欧洲II类(加强绝缘)安全标准VDE、SEV、SEMKO、BS。由于其额定耐受电压为AC 4000V,可在欧洲II类设备中以单单元配置使用。与无卤外部树脂涂层兼容(建议标准使用无卤产品)。
特性:宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用:可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器
X2103K2EAC12AAH/ZCSD 黄色
特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
公开页面暂无产品说明。
特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
把参数交给工程师。
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。