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由金属化聚丙烯薄膜构成,用自熄性树脂封装在符合UL 94 V-0要求的材料盒中。

X2334K2EAE60AAH/ZCSD 黄色

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特性:尺寸非常小。具有自修复特性。符合RoHS标准。可按需提供无卤电容器。应用:X2类用于“跨线”应用的干扰抑制

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13*17.5*8mm 105K 275V MKP X2 金属化聚丙烯膜抗干扰电容器

变更升级前型号为MP2125KGE6RLC,变更详情请看变更联络函。

特性:阻燃增强外绝缘,可防止火灾、触电和其他潜在危险。符合11个国家的安全标准。耐受电压为AC 2600V。兼容无卤外部树脂涂层

特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路

特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路

Y2 安规电容 0.047μF±10% 300VAC

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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

适用于电子设备中使用的具有确定温度系数(I类介质),具有高介电常数(II类介质)和具有半导体性质(III类介质)的瓷介固定电容器。I类瓷介固定电容器专门设计并用在低损耗,电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中,例如在电路中作温度补偿之用。II类瓷介固定电容器适用于旁路耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中,具有高介电常数。III类瓷介固定电容器适用于作旁路和耦合之用的电路中,具有半导体特征。

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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I类瓷介固定电容器:专门设计并用在低损耗,电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如在电路中作温度补偿之用。II类瓷介固定电容器:适用于旁路耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的,具有高介电常数的一种电容器。III类瓷介固定电容器:适用于作旁路和耦合之用的电路中,具有半导体特征的一种电容器。