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电容 / 电阻 / 电感型号

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特性:可适用于自动化生产线。符合 RoHS 2.0、REACH 标准,无菌

Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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50V/104/Z/F2.54/直腳/TB/酚醛(黃)/Y5V(III)/5P。本规格书适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1类瓷)电容器是专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如,在电路中作温度补偿之用。该类陶瓷介质是由标称温度系数(alpha)来确定,如NPO、N750、SL等等。高介电常数型(2类瓷)电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器

Dersonic(德尔创)插件,P=2.54mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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Dersonic(德尔创)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=10mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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STE(松田)插件,P=10mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:陶瓷单层直流圆盘/交流圆盘电容器。高可靠性。高电容值可达2 nF。小尺寸,符合RoHS标准。低损耗。径向引线。应用:用于X射线源和脉冲激光器的高压电源。行李扫描仪

VISHAY(威世)插件,P=12.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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Dersonic(德尔创)插件,P=2.54mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
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特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

TDK插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=10mm
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Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
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