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特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

特性:AEC Q200 合格。能承受 85/85/1000 h 测试。能通过 3000 次温度循环(从 -55°C 到 +125°C)。符合 IEC 60384 14。高可靠性。垂直(直插)弯折或直引脚。应用:X1、Y2,根据 IEC 60384 14。作为 Y 电容用于 PHEV/EV 电池充电器的 EMI 抑制和初级 次级耦合

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半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。

特性:容量范围:1pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:调谐回路。需要补偿温度效应的电路

适用于额定电压不超过直流 8kV 或最大标称电容量为 0.22uF 的电子设备。温度补偿型(1 类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数确定,如 NP0、N750、SL 等。高介电常数型(2 类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如 Y5P、Y5U、Y5V 等。可适用于自动化生产线,符合 RoHS 2.0、REACH 标准,无卤。

特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

直脚/L24/环氧(蓝)/Y5U/9I/ZNR直插瓷片电容

特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

适用于额定电压不超过直流10kV的电子设备,作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

适用于额定电压不超过直流 10kV 或最大标称电容量为 0.22uF 的电子设备。温度补偿型(1 类瓷)电容器专门设计并用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2 类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。适用于自动化生产线。符合 RoHS 2.0、REACH 标准,无卤