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特性:低损耗。高稳定性。小尺寸大容量。完整的电容值范围。径向引线。陶瓷单层电容器。材料分类:如需了解合规性定义,请参见相关文档。应用:旁路、耦合和去耦。直流阻断。开关电源

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220pF ±10% 10KV N4700

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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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特性:小尺寸大容量。弯脚(首选)或直脚。材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档。应用:旁路。耦合

特性:高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦

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特性:超温度和电压稳定性好。用于需要极致稳定性的场合。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:温度补偿。谐振电路

特性:适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无菌

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准。

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计和适用,在这些应用中,低损耗和高电容稳定性至关重要,或者需要精确定义的温度系数,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

特性:容量范围:1pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:调谐回路。需要补偿温度效应的电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路