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电容 / 电阻 / 电感型号

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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:这些产品应符合RoHS指令,因为引线和内部焊接材料不含铅(Pb)。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:用于直流镇流器

TDK插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

TDK插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=10mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

TDK插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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高压旁路和藕合电路

Dersonic(德尔创)插件,P=10mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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Dersonic(德尔创)插件,P=10mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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TDK-
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦

VISHAY(威世)插件
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中,可在电路中作温度补偿之用,该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NP0、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中,具有高介电常数,该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

Dersonic(德尔创)插件,P=12.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:低损耗。小尺寸下具有高电容。高稳定性。径向引线。应用:照明镇流器。开关电源

VISHAY(威世)插件
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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本规格书适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1类瓷)电容器是专门设计并用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如,在电路中作温度补偿之用。该类陶瓷介质是由标称温度系数(alpha)来确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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瓷片电容器适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无菌。

Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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温度补偿型(1类瓷)电容器是专门设计并用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如,在电路中作温度补偿之用。高介电常数型(2类瓷)电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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本规格书适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1类瓷)电容器是专门设计并用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如,在电路中作温度补偿之用。高介电常数型(2类瓷)电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准。

Dersonic(德尔创)插件,P=2.54mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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