特性:容量范围:100pF至1000000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:滤波电路。旁路电路
SHM(南方宏明)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=5mm
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=5mm
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适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于需要低损耗和高电容稳定性的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
Dersonic(德尔创)插件,P=7.5mm
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=7.5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=7.5mm
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TDK插件,P=7.5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=7.5mm
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=7.5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=5mm
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=10mm
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STE(松田)插件,P=5mm
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特性:小尺寸,高电容。高稳定性。有压接和直引脚样式。符合RoHS标准,无卤。应用:温度补偿。耦合和去耦
VISHAY(威世)插件
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VISHAY(威世)插件,P=5mm
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特性:高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦
VISHAY(威世)插件,P=6.4mm
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特性:高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦。旁路
VISHAY(威世)插件
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高压旁路和藕合电路
Dersonic(德尔创)插件,P=10mm
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特性:低损耗。高稳定性。小尺寸大容量。完整的电容值范围。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:旁路。谐振电路
VISHAY(威世)插件,P=6.4mm
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