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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备;温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿;高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路;可适用于自动化生产线;符合RoHS 2.0、REACH标准,无菌。

高压旁路和藕合电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

高压旁路和藕合电路

本规格书适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专门为谐振电路应用而设计和适用,在这些应用中,低损耗和电容的高稳定性至关重要,或者需要精确定义的温度系数,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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特性:宽电容范围:100pF至100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:高可靠性。低损耗。小尺寸大容量。弯脚引脚。应用:开关电源(SMPS)。高频镇流器

特性:高可靠性。低损耗。小尺寸大容量。弯脚引脚。应用:开关电源(SMPS)。高频镇流器

特性:可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤

特性:小尺寸下实现高电容。低损耗。多种不同引脚样式。应用:照明镇流器。开关电源

特性:适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22μF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于对低损耗和电容高稳定性要求较高的场合,或需要精确确定温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

陶瓷电容器使用陶瓷作为介质,铜线或镀锡钢线作为导线,(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封;圆片型,导线单向引出。陶瓷电容器是以被银瓷片作为芯片,镀锡铜包钢线(CP线)为引线、(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封。CC包含温度补偿型电容器、高介电常数型电容器与半导体型电容器三种。