特性:宽电容范围:100pF至100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=10mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=10mm
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=10mm
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=10mm
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
STE(松田)插件,P=10mm
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高压旁路和藕合电路
Dersonic(德尔创)插件,P=10mm
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特性:小尺寸,高电容。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦
VISHAY(威世)插件,P=7.5mm
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高压旁路和藕合电路
Dersonic(德尔创)插件,P=10mm
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2.2nF +80-20% 8KV Y5U
Dersonic(德尔创)插件,P=10mm
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特性:超温度和电压稳定性好。用于需要极致稳定性的场合。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:温度补偿。谐振电路
VISHAY(威世)插件,P=6.4mm
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特性:低损耗。小尺寸下具有高电容。高稳定性。径向引线。应用:照明镇流器。开关电源
VISHAY(威世)插件
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Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
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高压旁路和藕合电路
Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
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Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
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特性:温度补偿型(1类瓷)电容器:专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器:适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤
Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
STE(松田)插件,P=5mm
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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