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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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特性:宽电容范围:100pF至100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机的行扫描等电路

高压旁路和藕合电路

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特性:超温度和电压稳定性。用于需要极致稳定性的场合。径向引线。陶瓷单层电容器。应用:温度补偿。谐振电路

特性:低损耗。小尺寸下高电容。高稳定性。径向引线。应用:照明镇流器。开关电源

特性:低损耗。小尺寸下高电容。高稳定性。径向引线。应用:照明镇流器。开关电源

特性:超稳定,不受温度和电压影响。用于要求极高稳定性的场合。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:温度补偿。谐振电路

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特性:可按需提供20 kV额定电压。低损耗。小尺寸下实现高电容。高稳定性。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:高压电源。直流和脉冲高压

温度补偿型(1类瓷)电容器是专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如,在电路中作温度补偿之用。高介电常数型(2类瓷)电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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