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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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特性:高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦

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电容器由陶瓷圆盘制成,圆盘两侧镀银。连接引线由镀锡铜或镀锡铜包钢制成,直径为 0.020" (0.51 mm) 或 0.025" (0.64 mm)。电容器可以提供径向弯折或直引线,引线间距为 0.250" (6.35 mm) 或 0.375" (9.5 mm)。标准公差为 ±20%。涂层由树脂涂层或符合 “UL 94 V 0” 的阻燃环氧树脂制成。电容范围为 10 pF 至 0.1 μF,额定电压为 1000 VDC。引线之间的介电强度:元件测试为 2500 VDC,持续 2 s。陶瓷介质为 C0G、U2J(1 类)、X5F、X7R、Y5U、Z5U(2 类)。

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特性:低损耗。小尺寸下高电容。高稳定性。径向引线。应用:照明镇流器。开关电源

特性:高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦

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特性:容量范围:1pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:调谐回路。需要补偿温度效应的电路

特性:容量范围:1pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:调谐回路。需要补偿温度效应的电路

C/C 471K/2KV/P=5 直脚编带

特性:容量范围:1pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:调谐回路。需要补偿温度效应的电路

特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器