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特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

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特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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特性:高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦

特性:低损耗。高稳定性。小尺寸大容量。完整的电容值范围。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:旁路。谐振电路

特性:AEC Q200合格。能承受85/85/1000 h测试。能通过1000次温度循环(从 55°C到 + 125°C)。能通过10kV脉冲(每个极性10次)。符合IEC 60384 14。高可靠性。应用:X1、Y1(根据IEC 60384 14)。作为Y电容用于PHEV/EV电池充电器的EMI抑制和初级 次级耦合

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特性:符合AEC Q200。保证能在 -55°C~ +125°C热冲击试验中经受1000个循环。在高频,高电压时的介电质损失很小,自我发热小。由于导线及内部焊锡的无铅化,符合RoHS指令。采用无卤的外包封装树脂。应用:车载用充电器的缓冲电路保护

1类温度补偿型瓷介电容器的电容量随温度改变呈线性变化,适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中

C/C 332M/1KV/P=5/L=3.5 Y5V

特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:I类(温度特性CO和SL):调谐回路和需要补偿温度效应的电路。II类(温度特性Y5P、Y5U、Z5U、Y5V):旁路、滤波、耦合、隔直流等电路

特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路