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圆片陶介电容器是一种芯片介质主要为钛酸钡,并用烧渗法将金属镀在陶瓷上作为电极制成,有环氧树脂包封和酚醛树脂包封两种,按其介质特性可分为I类温度补偿型、II类高介电常数型;III类半导体型。

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特性:损耗低、容量稳定性高,电容量变化与温度呈线性关系。多种温度系数,适用于谐振回路及温度补偿效应的电路。使用温度范围:-25°C ~ +85°C。测试电压:2.5UR。绝缘电阻:Ri ≥ 10000MΩ。损耗角正切值:5PF < C < 30PF,tgδ ≤ 1 / 4

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特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

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特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器

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特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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特性:在高频,高电压时的介电质损失很小,自我发热小。以前的3kV额定品之外又加上6kV的高电压用途对应品。由于导线及内部焊锡的无铅化,符合RoHS指令。采用无卤的外包封装树脂。应用:开关电源的缓冲电路保护

特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护