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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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具有耐直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中

特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

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特性:高频特性好。损耗小发热低。介质耐压强度高。有铅,但符合ROHS标准豁免条款。应用:平板电视。监控电路

特性:高频特性好。损耗小发热低。介质耐压强度高。有铅,但符合ROHS标准豁免条款。应用:平板电视。监控电路

特性:可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤

本规格书适用的瓷片电容器用于电子设备,额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无菌。

特性:符合IEC60384 8标准。温度系数呈线性。电容量稳定性高。应用频率范围广,损耗低。符合RoHS2.0的要求。应用:谐振电路。高Q值需求电路

特性:符合IEC60384-8标准。温度系数呈线性。电容量稳定性高。应用频率范围广,损耗低。符合RoHS 2.0的要求。工作温度范围:-25°C ~ +125°C。应用:谐振电路。高Q值需求电路

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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路