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特性:体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用:一般用途品

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等级:独石电容 474K50V P5.08 容值:0.47uF 精度:±10% 额定电压:50V 独石电容 积层 X7R MLCC 多层陶瓷

等级:独石电容 105K50V P5 容值:1uF 精度:±10% 额定电压:50V 独石电容 积层 X7R MLCC 多层陶瓷

特性:体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用:一般用途品

等级:独石电容 334K100V P5.08 容值:0.33uF 精度:±10% 额定电压:100V 独石电容 积层 X7R MLCC 多层陶瓷

应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦

等级:独石电容 474K100V P5.08 容值:0.47uF 精度:±10% 额定电压:100V 独石电容 积层 X7R MLCC 多层陶瓷

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特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦

径向引脚多层陶瓷电容器采用C0G电介质,最大工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将C0G电介质归类为I类“稳定”材料。此类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G的电容随时间和电压无变化,相对于环境温度的变化可忽略不计。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±30ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。

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Goldmax 符合 Z5U 电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 85°C,被认为是“通用型”。电子工业联盟 (EIA) 将 Z5U 电介质归类为 III 类材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦或其他对介电损耗、高绝缘电阻和电容稳定性要求不高的应用。Z5U 电容随时间和电压的变化可预测,且随环境温度变化较大。在 +10°C 至 +85°C 范围内,电容变化限制在 +22% 56%。

特性:小尺寸、高容值。低ESR/ESL型,适用于高频电路。符合AEC Q200, ISO7637 2(冲击试验)要求。满足LF(无铅)和HF(无卤)的要求。可采用波峰焊接和焊接 (不可采用回流焊接)。如果在焊接过程中必须使用铜线,则根据要求采用铜线

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X7R电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。

应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合

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