Clestek · 电子元器件型号库
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特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
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特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，指令集扩展。中等密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes，在55℃下10 kcycles后数据保留20年；数据存储器高达1 Kbytes真正数据EEPROM，耐久性300 kcycles。RAM：高达2 Kbytes。2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统
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TMS320F2800137 具有 120MHz 频率、256KB 闪存、FPU 和 TMU 的 C2000™ MCU
特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位 (POR/PDR)；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗模式：睡眠、停止、待机；V BAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，可选x6 PLL；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。 多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个I/O具有5V容限能力，19个具有独立电源VDDIO2
STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心，工作频率高达 48 MHz，具有高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM），以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART），一个 USB 全速设备（无晶体），一个 CAN，一个 12 位 ADC，四个 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
CC1310 具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低于 1GHz 无线 MCU
特性：核心：最大fCPU：高达24 MHz，在fCPU ≤ 16 MHz时0等待状态。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8内核。扩展指令集。24 MHz时最大20 MIPS。 存储器：程序：高达128 Kbytes闪存；在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年。数据：高达2 Kbytes真数据EEPROM；耐久性300 kcycles
特性：工作电源范围：1.8V至3.6V（掉电时低至1.65V）。 温度范围：-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。 功耗：195μA/MHz + 440μA。 每个I/O超低泄漏：50nA。 从暂停状态快速唤醒：4.7μs
特性：带有FPU的32位Arm Cortex-M4F内核，最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB。 SRAM：系统（192KB）+ 备份（4KB）。 EMMC支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器
特性：核心：带FPU的ARM Cortex-M4 32位CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令和MPU（内存保护单元）。工作条件:VDD、VDA电压范围：2.0 V至3.6 V。存储器:128至256 KB的闪存。高达40 KB的SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR）
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特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART
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特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA
特性：双核:32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和16KB数据、16KB指令L1缓存；频率高达480MHz，有MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）用于内部闪存和外部存储器，频率高达240MHz，有MPU，300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器:2MB闪存，支持边读边写。1MB RAM：192KB TCM RAM（含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于时间关键程序），864KB用户SRAM，4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟高达125MHz。CRC计算单元。安全：ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件升级支持、安全访问模式
混合信号64kb单片机的ISP闪光
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