特性：尺寸：0.18×0.12 英寸（4.5×3.2 mm）。RoHS 合规，无铅无卤。对故障电流响应迅速。低电阻。低剖面。与高温焊料兼容。应用：计算机、手机、多媒体。汽车、工业控制、电话和宽带
BHFUSE(佰宏)1812
保险丝自恢复保险丝
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JK(金科)1206
保险丝自恢复保险丝
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0.10A 60V 自恢复保险丝
台湾陆海1206
保险丝自恢复保险丝
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是非常小的线绕式方形表面贴装保险丝，专为二次侧电路过流保护应用而设计。这些保险丝采用表面贴装技术，适用于 PCB。
Littelfuse(美国力特)2410
保险丝一次性保险丝
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无卤
Littelfuse(美国力特)1206
保险丝一次性保险丝
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P沟道 -30V -90A ，4.8mΩ导通电阻
HUAYI(华羿微)TO-252-2
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道
UMW(友台半导体)TO-252
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道，60V/20A，37毫欧。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道 -40V -40A
AOSTO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
AOSTO-252
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道，-60V，-50A，23毫欧。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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P沟道,55V ,11A,175mΩ
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)TO-252
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NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
场效应管(MOSFET)TO-252
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N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
VISHAY(威世)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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