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特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40℃至125℃温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式+RTC+20KB RAM保留。 运行模式下低至93μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

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ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。AVR核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），使得在一个时钟周期内执行的一条指令可以访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，并且比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P提供了以下特性：具有读写同时进行能力的4K/8K字节的系统内可编程Flash、256/512/512/1K字节的EEPROM、512/1K/1K/2K字节的SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中为8通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于休眠状态时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块（除了异步定时器和ADC）以最小化ADC转换期间的开关噪声。待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于休眠状态。这允许非常快速启动并结合低功耗。Microchip提供QTouch库，用于将电容触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了稳健的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻键抑制(AKS)技术以实现对按键事件无歧义的检测。易于使用的QTouch套件工具链允许您探索、开发和调试自己的触摸应用程序。该器件使用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口来下载应用Flash存储器中的应用程序。当应用Flash部分被更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与系统内自编程Flash集成在同一芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是一种强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR支持完整的程序和系统开发工具套件，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 内核：Arm 32位Cortex-M0+ CPU，频率高达48 MHz。 工作温度范围：-40℃至85℃/105℃/125℃。 高达128 KB的闪存，带有保护和可安全区域。 24 KB的SRAM，带有硬件奇偶校验。 CRC计算单元

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频率 (MHz)：200，FLASH (KB)：256，SRAM (KB)：64，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：LQFP64

是基于ARM Cortex-M0的低成本32位MCU系列，专为8/16位微控制器应用而设计，与现有的8/16位架构相比，具有高性能、低功耗、简单的指令集和内存寻址以及减小的代码大小。可在高达50 MHz的CPU频率下运行。外设包括16/32 kB的闪存、8 kB的数据存储器、一个C_CAN控制器、一个快速模式I2C总线接口、一个RS-485/EIA-485 UART、两个具有SSP功能的SPI接口、四个通用计数器/定时器、一个10位ADC和多达40个通用I/O引脚。包括片上C_CAN驱动程序和通过C_CAN的闪存系统编程工具

AT89S52是一款低功耗、高性能的CMOS 8位微控制器，带有8K字节的系统内可编程闪存。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造，并与行业标准80C51指令集和引脚布局兼容。片上闪存允许程序存储器通过系统内编程或传统的非易失性存储器编程器进行重新编程。通过将多功能8位CPU与系统内可编程闪存结合在单片芯片上，Atmel AT89S52是一款功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。AT89S52提供以下标准特性：8K字节的闪存、256字节的RAM、32条I/O线、看门狗定时器、两个数据指针、三个16位定时器/计数器、六向量两级中断架构、全双工串行端口、片上振荡器和时钟电路。此外，AT89S52设计采用了静态逻辑，可以在零频率下工作，并支持两种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许RAM、定时器/计数器、串行端口和中断系统继续工作。掉电模式保存RAM内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位为止。

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。 常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。 复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

高性能、低功耗8位微控制器高级RISC架构 – 131条强大指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32 X 8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在16 MHz下最高可达16 MIPS吞吐量 – 片上2周期乘法器非易失性程序和数据存储器 – 32K字节的系统内自编程闪存耐久性：10,000次写/擦除循环 – 可选引导代码区，具有独立的锁定位 – 通过片上引导程序进行系统内编程 – 真正的读-写同时操作 – 1024字节EEPROM耐久性：100,000次写/擦除循环 – 2K字节内部SRAM – 用于软件安全的编程锁JTAG（符合IEEE std. 1149.1标准）接口 – 根据JTAG标准的边界扫描功能 – 广泛的片上调试支持 – 通过JTAG接口对闪存、EEPROM、熔丝位和锁定位进行编程外设特性 – 带有独立预分频器和比较模式的两个8位定时器/计数器 – 带有独立预分频器、比较模式和捕获模式的一个16位定时器/计数器 – 带有独立振荡器的实时时钟 – 四个PWM通道 – 8通道、10位ADC 8单端通道 TQFP封装中仅7差分通道 2个带有可编程增益（1X、10X或200X）的差分通道 – 字节导向的两线串行接口 – 可编程串行USART – 主/从SPI串行接口 – 带有独立片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 片上模拟比较器特殊微控制器特性 – 上电复位和可编程掉电检测 – 内部校准RC振荡器 – 外部和内部中断源 – 六种睡眠模式：空闲、ADC降噪、节能、掉电、待机和扩展待机I/O和封装 – 32个可编程I/O线 – 40引脚PDIP、44引脚TQFP和44焊盘QFN/MLF工作电压 ATmega32L为2.7-5.5V ATmega32为4.5-5.5V速度等级 – ATmega32L为0 - 8 MHz – ATmega32为0 - 16 MHz功耗在1 MHz、3V、25℃下对于ATmega32L – 活动模式：1.1 mA – 空闲模式：0.35 mA – 掉电模式：< 1 µA

特性：超低功耗平台。 1.65V至3.6V电源。 -40至125°C温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留

特性：带有FPU的32位Arm Cortex-M4F内核，最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB。 SRAM：系统（192KB）+ 备份（4KB）。 EMMC支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，具备TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行；4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。 高达512 Kbyte的嵌入式闪存，带ECC，两个存储体可在写入时读取，每个存储体高达48 Kbyte，具有高循环能力（100 K周期）用于数据闪存。 2 Kbyte OTP（一次性可编程）。 272 Kbyte SRAM（80 Kbyte SRAM2带ECC）

TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员，专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU，使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB（128KW）的闪存。此外，还提供高达 36KB（18KW）的片上 SRAM，以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口（如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。 工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。 存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。 互连矩阵

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存；256 Kbyte SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口；LCD并行接口，支持8080/6800模式。

特性：核心：带有浮点单元（FPU）的32位ARM Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，支持DSP指令。 存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM），用于指令和数据总线。 CRC计算单元。 复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围：2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。 时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，可校准；内部8 MHz RC（通过PLL选项最高可达64 MHz）；内部40 kHz振荡器。 多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。 互连矩阵。 7通道DMA控制器

该产品是基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单时钟周期内执行强大的指令，该产品每MHz可实现接近1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够在功耗和处理速度之间进行优化。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。该产品提供以下特性：具有读-写功能的16K字节系统内可编程闪存、512字节EEPROM、1K字节SRAM、外部存储器接口、35个通用I/O线、32个通用工作寄存器、用于边界扫描的JTAG接口、片上调试支持和编程、四个具有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、两个串行可编程USART、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串行端口以及五种软件可选的节能模式