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特性：AC开关。高速开关。电压驱动。低电感模块结构。应用：UPS、PCS等的AC开关

4件套 600V/150A，双管一体封装IGBT模块

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。TVJop = 150°C。VCEsat 具有正温度系数。应用：高功率转换器。电机驱动

特性：IGBT4 = 第四代快速沟槽式IGBT。CAL4 = 软开关第四代CAL二极管。采用DBC技术（直接键合铜）的隔离铜底板。提高了功率循环能力。集成栅极电阻。适用于高达20kHz的更高开关频率。应用：交流逆变器驱动。UPS

62mm C系列模块，带有用于高频开关的快速IGBT2

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。 数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

特性：工作条件：工作电源：1.8V至3.6V。温度范围： -40℃至85℃。 低功耗特性：5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：5μs。 先进的STM8内核：哈佛架构和3级流水线

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

高性能、低功耗的Atmel AVR 8位微控制器系列n先进的RISC架构 – 131条强大的指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32 x 8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在20MHz下最高可达20 MIPS吞吐量 – 片上2周期乘法器n高耐久性的非易失性存储段 – 4/8/16/32KBytes的片内系统自编程Flash程序内存 – 256/512/512/1KBytes EEPROM – 512/1K/1K/2KBytes内部SRAM – 写入/擦除周期:10,000次Flash/100,000次EEPROM – 数据保留时间:85°C下20年/25°C下100年 – 可选的引导代码段，具有独立的锁定位n片内系统编程由片上引导程序实现真正的读写操作n软件安全的编程锁定nAtmel QTouch库支持 – 电容式触摸按钮、滑块和滚轮 – QTouch和QMatrix采集 – 最多64个感应通道n外设特性 – 两个8位定时器/计数器，具有独立预分频器和比较模式 – 一个16位定时器/计数器，具有独立预分频器、比较模式和捕获模式 – 带有单独振荡器的实时时钟 – 六个PWM通道 – 8通道10位ADC（TQFP和QFN/MLF封装）温度测量 – 6通道10位ADC（PDIP封装）温度测量 – 可编程串行USART – 主/从SPI串行接口 – 字节型2线串行接口（Philips I2C兼容） – 带有单独片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 片内模拟比较器 – 引脚变化中断和唤醒n特殊微控制器特性 – 上电复位和可编程欠压检测 – 内部校准振荡器 – 外部和内部中断源 – 六种睡眠模式:空闲、ADC噪声减少、省电、掉电、待机和扩展待机nI/O和封装 – 23个可编程I/O线 – 28针PDIP，32引脚TQFP，28焊盘QFN/MLF和32焊盘QFN/MLF

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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工作电压：2V ~ 3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM Cortex-M3 主频（MAX)：96MHz ROM类型：FLASH APM32 Series 32-bit 128 kB Flash 20 kB RAM FPU LQFP-64

特性：超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式（16 个唤醒线）