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特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

特性：Dynamic Eficiency Line with BAM (Batch Acquisition Mode)-1.7V to 3.6V power supply - -40°C to 85/105/125°C temperature range。 核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTm）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），和 DSP 指令。

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集

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最高主频可达108MHz，比市场同类产品提高了50%！

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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属于GD32 MCU系列的主流产品线，是一款基于ARM® Cortex®- M4 RISC内核的新型32位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4内核实现了全套DSP指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。集成了工作频率为120 MHz的ARM® Cortex®- M4 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。提供高达3072 KB的片上闪存和96 KB的SRAM。大量增强型I/O和外设连接到两条APB总线

高性价比

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

特性：核心：带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速。FMAC：滤波数学加速器。存储器：128 Kbytes的闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）、可测量存储区和1 Kbyte OTP。22 Kbytes的SRAM，前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上有10 Kbytes的SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）

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特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 存储器：64 至 256 Kbytes 的闪存，64 Kbytes 的通用 SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），3 至 25 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC 带校准，32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。

120MHZ Cortex-M4F浮点内核 支持快速DSP数学运算指令 16通道ADC 模拟比较器

该设备属于GD32 MCU系列的主流产品线。它是一款基于ARM® Cortex®-M4 RISC内核的新型32位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®-M4内核实现了一套完整的DSP指令，以满足对控制和信号处理能力进行高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。该设备集成了工作频率为120 MHz的ARM® Cortex®-M4 32位处理器内核，闪存访问零等待状态，以获得最高效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和96 KB的SRAM

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特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。