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特性:适用于表面贴装应用。 高正向浪涌电流能力。 用于过压保护的保护环。 低功耗,高效率。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:用于低压高频逆变器。 续流

特性:反向电压:40、60、100 V。 正向电流:3 A。 高效运行。 金属硅结,多数载流子传导。 超低正向压降,低功耗。 高正向浪涌电流能力。应用:用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

特性:适用于表面贴装应用。易于拾取和放置。金属与硅整流器,多数载流子传导。低功耗,高效率。高电流能力,低正向电压(VF)。高浪涌电流能力。塑料材料符合Underwriters-Laboratory 94V-0分类。外延结构。高温焊接:端子可承受260°C/10秒

特性:塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 薄型封装。 内置应力消除。 金属硅结,多数载流子传导。 高浪涌能力。 高电流能力,低正向压降。 低功耗,高效率。 用于低压高频逆变器、续流和极性保护应用。 保护环用于过压保护。 保证高温焊接:引脚在250°C下可承受10秒

特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗,高效率。 适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子在 +260°C 下持续 10 秒。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:极性保护二极管。 续流二极管

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严苛要求而设计,非常适合用作以下器件:极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

特性:适用于表面贴装应用。 高正向浪涌电流能力。 低功耗,高效率。 金属硅结,多数载流子传导。 符合J-STD-020标准的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达500A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子处+260°C/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高

特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:250°C/10秒,引脚长度0.375英寸(9.5mm),拉力5磅(2.3kg)

特性:低外形封装,适合自动贴装。 有保护环,可进行过压保护。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260°C。应用:低压高频逆变器。 续流

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

特性:高效运行。 金属硅结,多数载流子传导。 超低正向压降,低功率损耗。 高正向浪涌电流能力。 符合MSL一级标准(依据J-STD-020),LF最大峰值260°C。应用:用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):550mV@10A

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特性:高电流能力。 低正向压降。 低功耗,高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置:任意

平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

特性:高浪涌能力。 用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 金属硅结,多数载流子传导。 高电流容量,低正向压降。 用于过压保护的保护环

平面肖特基势垒单二极管,集成保护环用于应力保护,采用非常小且扁平引脚的SOD323F(SC - 90)表面贴装器件(SMD)塑料封装。